产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R600E6XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R600E6XKSA1-ND
别名：IPA60R600E6
IPA60R600E6-ND
SP000797298
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R600E6
仓库库存编号：
IPP60R600E6-ND
别名：IPP60R600E6XKSA1
SP000797630
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R600C6XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R600C6XKSA1-ND
别名：IPA60R600C6
IPA60R600C6-ND
SP000660624
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P03P405ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P03P405ATMA1TR-ND
别名：IPB80P03P4-05
IPB80P03P4-05-ND
SP000396282
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 95A
详细描述：通孔 N 沟道 40V 95A（Tc） 42W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI7440GPBF
仓库库存编号：
IRFI7440GPBF-ND
别名：SP001578074
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 150V 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI530N15N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI530N15N3GXKSA1-ND
别名：IPI530N15N3 G
IPI530N15N3 G-ND
SP000807642
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S405AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N06S405AKSA1-ND
别名：IPI80N06S4-05
IPI80N06S4-05-ND
SP000415632
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S405AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S405AKSA1-ND
别名：IPP80N06S4-05
IPP80N06S4-05-ND
SP000415704
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP16CN10NGHKSA1
仓库库存编号：
IPP16CN10NGHKSA1-ND
别名：SP000096469
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S208ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S208ATMA2-ND
别名：SP001067884
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 90A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD046N08N5ATMA1
仓库库存编号：
IPD046N08N5ATMA1-ND
别名：SP001475652
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S2-15
仓库库存编号：
IPD30N06S2-15CT-ND
别名：IPD30N06S2-15CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 33A（Tc） 144W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS5615TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS5615TRLPBFCT-ND
别名：IRFS5615TRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 250V 9.3A（Tc） 100W（Tc） I-Pak
型号：
AUIRFU4292
仓库库存编号：
AUIRFU4292-ND
别名：SP001519718
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 46A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB008NE2LXXUMA1
仓库库存编号：
BSB008NE2LXXUMA1-ND
别名：SP000880866
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS040N03LGBKMA1
仓库库存编号：
IPS040N03LGBKMA1-ND
别名：IPS040N03L G
IPS040N03LG
IPS040N03LGIN
IPS040N03LGIN-ND
SP000256159
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.1A（Tc） 83W（Tc） Thin-Pak（8x8）
型号：
IPL65R420E6AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R420E6AUMA1-ND
别名：SP000895214
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB90N06S404ATMA2
仓库库存编号：
IPB90N06S404ATMA2-ND
别名：SP001028754
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R600C6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R600C6XKSA1-ND
别名：IPA65R600C6
IPA65R600C6-ND
SP000850502
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R600C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R600C6XKSA1-ND
别名：IPI65R600C6
IPI65R600C6-ND
SP000850504
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8.3A（Tc） 83.3W（Tc） Thin-Pak（8x8）
型号：
IPL65R460CFDAUMA1
仓库库存编号：
IPL65R460CFDAUMA1-ND
别名：SP000949260
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R600E6XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R600E6XKSA1-ND
别名：IPP65R600E6
IPP65R600E6-ND
SP000850500
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R600C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R600C6XKSA1-ND
别名：IPP65R600C6
IPP65R600C6-ND
SP000661310
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 43A（Tc） 71W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRFB3806
仓库库存编号：
AUIRFB3806-ND
别名：SP001522276
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Ta），63A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC159N10LSF G
仓库库存编号：
BSC159N10LSFGATMA1CT-ND
别名：BSC159N10LSF GCT
BSC159N10LSF GCT-ND
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