产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU03N60C3BKMA1
仓库库存编号：
SPU03N60C3BKMA1-ND
别名：SP000095849
SPU03N60C3
SPU03N60C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N10S3L16ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N10S3L16ATMA1CT-ND
别名：IPD50N10S3L-16CT
IPD50N10S3L-16CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 72A（Tc） 75W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB70P04P409ATMA1
仓库库存编号：
IPB70P04P409ATMA1-ND
别名：SP000735964
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S407AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S407AKSA2-ND
别名：SP001028666
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.6A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB812PBF
仓库库存编号：
IRFB812PBF-ND
别名：SP001563948
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 13A（Ta），50A（Tc） 2.8W（Ta）, 42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB104N08NP3GXUSA1
仓库库存编号：
BSB104N08NP3GXUSA1-ND
别名：SP001164330
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） TO-252
型号：
IPD60R600E6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R600E6ATMA1-ND
别名：SP001117094
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0501NSIATMA1
仓库库存编号：
BSZ0501NSIATMA1-ND
别名：SP001281638
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.9A（Ta），24A（Tc） 2.5W（Ta），41W（Tc） DIRECTFET? SC
型号：
AUIRF7647S2TR
仓库库存编号：
AUIRF7647S2TR-ND
别名：SP001520570
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7834TRPBF
仓库库存编号：
IRF7834PBFTR-ND
别名：IRF7834PBFTR
IRF7834TRPBF-ND
IRF7834TRPBFTR-ND
SP001563774
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P04P407ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P04P407ATMA1-ND
别名：SP000842038
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 100W（Tc） PG-TDSON-8-23
型号：
IPC80N04S403ATMA1
仓库库存编号：
IPC80N04S403ATMA1-ND
别名：SP001138828
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R600E6BTMA1
仓库库存编号：
IPD65R600E6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R600E6BTMA1CT
IPD65R600E6CT
IPD65R600E6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R600E6ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R600E6ATMA1-ND
别名：SP001117096
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI45N06S409AKSA2
仓库库存编号：
IPI45N06S409AKSA2-ND
别名：SP001028656
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P04P407AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P04P407AKSA1-ND
别名：SP000842044
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAW60R600CEXKSA1
仓库库存编号：
IPAW60R600CEXKSA1-ND
别名：SP001391618
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S407ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S407ATMA2-ND
别名：SP001028672
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 28W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD60R1K5CEATMA1
仓库库存编号：
IPD60R1K5CEATMA1CT-ND
别名：IPD60R1K5CEATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R660CFDBTMA1
仓库库存编号：
IPD65R660CFDBTMA1TR-ND
别名：IPD65R660CFD
IPD65R660CFD-ND
SP000745024
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R660CFDATMA1
仓库库存编号：
IPD65R660CFDATMA1-ND
别名：SP001117748
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ46ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ46ZSTRLPBF-ND
别名：SP001571826
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 31W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R400CEXKSA1
仓库库存编号：
IPA65R400CEXKSA1-ND
别名：SP001429766
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC020N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC020N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC020N03LS GCT
BSC020N03LS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 71W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N04S404AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N04S404AKSA1-ND
别名：IPP80N04S4-04
IPP80N04S4-04-ND
SP000646196
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