产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 60A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD60N10S412ATMA1
仓库库存编号：
IPD60N10S412ATMA1-ND
别名：SP001102936
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3.9A（Tc） 36.7W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R950CFDATMA1
仓库库存编号：
IPD65R950CFDATMA1-ND
别名：SP001117750
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R1K0CEXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R1K0CEXKSA1-ND
别名：SP001429478
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB055N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPB055N03LGATMA1TR-ND
别名：IPB055N03L G
IPB055N03LGINTR
IPB055N03LGINTR-ND
IPB055N03LGXT
SP000304110
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 210mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP179H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP179H6327XTSA1-ND
别名：SP001212770
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.6A（Tc） 27.2W（Tc） TO-220 整包
型号：
IPA50R650CEXKSA2
仓库库存编号：
IPA50R650CEXKSA2-ND
别名：SP001217232
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB35N10S3L26ATMA1
仓库库存编号：
IPB35N10S3L26ATMA1-ND
别名：SP000776044
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
IRFR7540TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR7540TRLPBF-ND
别名：SP001565094
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R950C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R950C6ATMA1-ND
别名：SP001107082
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3711TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3711PBFTR-ND
别名：IRFR3711PBFTR
IRFR3711TRPBF-ND
IRFR3711TRPBFTR-ND
SP001557028
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3711TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR3711TRLPBF-ND
别名：SP001578136
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 64A（Tc） 46W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC065N06LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC065N06LS5ATMA1-ND
别名：SP001385614
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 21A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ028N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSZ028N04LSATMA1-ND
别名：SP001067016
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 26A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta）, 43W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0502NSIATMA1
仓库库存编号：
BSC0502NSIATMA1-ND
别名：SP001288142
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD90N06S407ATMA2
仓库库存编号：
IPD90N06S407ATMA2-ND
别名：SP001028680
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8103VTRPBF
仓库库存编号：
IRLR8103VPBFTR-ND
别名：IRLR8103VPBFTR
SP001558514
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR540ZPBF
仓库库存编号：
IRFR540ZPBF-ND
别名：SP001555140
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
AUIRFL024NTR
仓库库存编号：
AUIRFL024NTR-ND
别名：SP001519268
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta）, 43W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0502NSIATMA1
仓库库存编号：
BSZ0502NSIATMA1-ND
别名：SP001288154
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD031N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD031N03LGBTMA1-ND
别名：SP000236957
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD127N06LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD127N06LGBTMA1CT-ND
别名：IPD127N06LG
IPD127N06LGINCT
IPD127N06LGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 40A（Tc） 63W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ084N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSZ084N08NS5ATMA1-ND
别名：SP001227056
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS119L6433HTMA1
仓库库存编号：
BSS119L6433HTMA1CT-ND
别名：BSS119 L6433CT
BSS119 L6433CT-ND
BSS119L6433
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD90N06S405ATMA2
仓库库存编号：
IPD90N06S405ATMA2-ND
别名：SP001028730
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4.2A（Tc） 34.7W（Tc） Thin-PAK（5x6）
型号：
IPL65R1K0C6SATMA1
仓库库存编号：
IPL65R1K0C6SATMA1-ND
别名：SP001163084
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