产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 8.7A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R950CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R950CEAKMA1-ND
别名:SP001605396
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R650CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R650CEAUMA1-ND
别名:SP001396908
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.1A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R650CEATMA1
仓库库存编号:
IPD65R650CEATMA1-ND
别名:SP001295798
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 70A(Tc) 50W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC70N04S54R6ATMA1
仓库库存编号:
IPC70N04S54R6ATMA1-ND
别名:SP001418124
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
SN7002N L6327
仓库库存编号:
SN7002NL6327INCT-ND
别名:SN7002NL6327
SN7002NL6327INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.3A(Tc) 21.6W(Tc) Thin-PAK(5x6)
型号:
IPL60R2K1C6SATMA1
仓库库存编号:
IPL60R2K1C6SATMA1-ND
别名:SP001163026
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 10.5A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R600CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R600CEAUMA1-ND
别名:SP001466998
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 63W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC90N04S53R6ATMA1
仓库库存编号:
IPC90N04S53R6ATMA1-ND
别名:SP001418114
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 650V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 10.1A(Tc) 86W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS65R650CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS65R650CEAKMA1-ND
别名:SP001422888
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 22A(Ta),84A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032NE2LSATMA1
仓库库存编号:
BSC032NE2LSATMA1CT-ND
别名:BSC032NE2LSCT
BSC032NE2LSCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta),72A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0504NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0504NSIATMA1-ND
别名:SP001288146
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K4C6AKMA1
仓库库存编号:
IPU60R1K4C6AKMA1-ND
别名:SP001292874
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 3.6A(Tc) 78W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR812TRPBF
仓库库存编号:
IRFR812TRPBFCT-ND
别名:IRFR812TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO040N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO040N03MSGXUMA1TR-ND
别名:BSO040N03MS G
BSO040N03MS G-ND
SP000446070
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 10.5A(Tc) 86W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R600CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R600CEAKMA1-ND
别名:SP001605364
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 28W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K4C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K4C6ATMA1-ND
别名:SP001107078
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S223ATMA2
仓库库存编号:
IPD30N06S223ATMA2-ND
别名:SP001061722
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.1A(Tc) 74W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R460CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R460CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R460CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 22A(Ta),69A(Tc) 2.2W(Ta),28W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF035NE2LQXUMA1
仓库库存编号:
BSF035NE2LQXUMA1-ND
别名:SP001034234
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 47A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 47A(Tc) 36W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC094N06LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC094N06LS5ATMA1-ND
别名:SP001458086
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD050N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD050N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD050N03LGINCT
IPD050N03LGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD050N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD050N03LGBTMA1-ND
别名:SP000254716
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3A(Tc) 26.6W(Tc) Thin-PAK(5x6)
型号:
IPL60R1K5C6SATMA1
仓库库存编号:
IPL60R1K5C6SATMA1-ND
别名:SP001163010
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MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD040N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD040N03LGBTMA1-ND
别名:SP000254715
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 15.1A (Tc) 118W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R400CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R400CEAUMA1-ND
别名:SP001466800
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