产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 5.4A(Tc) 53W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R1K4CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R1K4CEAKMA1-ND
别名:SP001605398
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 750V 7.4A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R1K0CEATMA1
仓库库存编号:
IPN70R1K0CEATMA1-ND
别名:SP001646912
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9332TRPBF
仓库库存编号:
IRF9332TRPBF-ND
别名:SP001565710
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD25N06S240ATMA2
仓库库存编号:
IPD25N06S240ATMA2-ND
别名:SP001063628
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.2A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP296NH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSP296NH6433XTMA1-ND
别名:SP001098610
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.2A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K0CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K0CEAUMA1-ND
别名:SP001421368
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.3A(Ta),18A(Tc) 29W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC440N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC440N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC440N10NS3 GCT
BSC440N10NS3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8714GTRPBF
仓库库存编号:
IRF8714GTRPBFTR-ND
别名:IRF8714GTRPBFTR
SP001570678
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 2.7W(Ta),33W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8330TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8330TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8330TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125H6433XTMA1
仓库库存编号:
BSP125H6433XTMA1-ND
别名:SP001058578
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 3.2A(Ta),20A(Tc) 2.8W(Ta),29W(Tc) 8-PQFN(3x3)
型号:
IRFHM3911TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM3911TRPBF-ND
别名:SP001575850
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD400N06NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD400N06NGBTMA1CT-ND
别名:IPD400N06NG
IPD400N06NGINCT
IPD400N06NGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 4.3A(Tc) 37W(Tc) TO-251
型号:
IPS65R1K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS65R1K0CEAKMA1-ND
别名:SP001276048
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8721GTRPBF
仓库库存编号:
IRF8721GTRPBFTR-ND
别名:IRF8721GTRPBFTR
SP001565746
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 22.3W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R2K0C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K0C6ATMA1-ND
别名:SP001117714
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD075N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD075N03LGBTMA1-ND
别名:SP000249747
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 5A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD5N25S3430ATMA1
仓库库存编号:
IPD5N25S3430ATMA1-ND
别名:SP000876584
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04P10PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD04P10PGBTMA1TR-ND
别名:SP000212230
SPD04P10P G
SPD04P10P G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.9A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R2K8CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU80R2K8CEAKMA1-ND
别名:SP001593932
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 19A(Ta) 2.8W(Ta),34W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8228TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8228TRPBFTR-ND
别名:IRFHM8228TRPBFTR
SP001556578
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 82W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R650CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R650CEBTMA1-ND
别名:SP001369530
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 980mA(Tc) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP321PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP321PH6327XTSA1-ND
别名:SP001058782
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD060N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD060N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236948
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta) 2.1W(Ta) PG-TDSON-8
型号:
BSZ0589NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ0589NSATMA1-ND
别名:SP001586396
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S2L10ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND
别名:IPD30N03S2L-10
IPD30N03S2L-10-ND
SP000254465
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