产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 21A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE23N100
仓库库存编号:
IXFE23N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 102A(Tc) 570W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1F160N30T
仓库库存编号:
MMIX1F160N30T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 132A(Tc) 570W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1F180N25T
仓库库存编号:
MMIX1F180N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 168A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 168A(Tc) 600W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1F230N20T
仓库库存编号:
MMIX1F230N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 44A(Tc) 550W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL44N80
仓库库存编号:
IXFL44N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 235A
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 235A(Tc) 680W(Tc) 24-SMPD
型号:
MMIX1F360N15T2
仓库库存编号:
MMIX1F360N15T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 334A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 334A(Tc) 680W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1F420N10T
仓库库存编号:
MMIX1F420N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 44A(Tc) 380W(Tc) SOT-227B
型号:
IXKN45N80C
仓库库存编号:
IXKN45N80C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 170A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN170N10
仓库库存编号:
IXFN170N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 550A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 550A(Tc) 830W(Tc) 24-SMPD
型号:
MMIX1T550N055T2
仓库库存编号:
MMIX1T550N055T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 30A(Tc) 580W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE34N100
仓库库存编号:
IXFE34N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 33A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT33N90JCCU2
仓库库存编号:
APT33N90JCCU2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 60V 340A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN340N06
仓库库存编号:
IXFN340N06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 100A(Tc) 735W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN110N20L2
仓库库存编号:
IXTN110N20L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 158A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE180N20
仓库库存编号:
IXFE180N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 72A(Tc) 580W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE80N50
仓库库存编号:
IXFE80N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 95A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC60DAM24T1G
仓库库存编号:
APTC60DAM24T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 480V 80A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN80N48
仓库库存编号:
IXFN80N48-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 130A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN130N30
仓库库存编号:
IXFN130N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A TO-204AA
详细描述:通孔 P 沟道 100V 11A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA
型号:
JANTX2N6804
仓库库存编号:
1088-1031-ND
别名:1088-1031
1088-1031-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 34A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN34N100
仓库库存编号:
IXFN34N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC90SKM60T1G
仓库库存编号:
APTC90SKM60T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC90DAM60T1G
仓库库存编号:
APTC90DAM60T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 33A(Tc) 580W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE36N100
仓库库存编号:
IXFE36N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 34A(Tc) 580W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE39N90
仓库库存编号:
IXFE39N90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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