以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 550A DE475
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 550A（Tc） 600W（Tc） DE475
  
  型号：IXTZ550N055T2
  仓库库存编号：IXTZ550N055T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 90A（Tc） 560W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN90N30
  仓库库存编号：IXFN90N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 80A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT80N085
  仓库库存编号：IXFT80N085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660
  仓库库存编号：2N6660-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 25A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN25N90
  仓库库存编号：IXFN25N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 9A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR10N100Q
  仓库库存编号：IXFR10N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 60A TO-240AA
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 60A（Tc） 590W（Tc） TO-240AA
  
  型号：VMO60-05F
  仓库库存编号：VMO60-05F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 465A DE-475
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 465A（Tc） 600W（Tc） DE475
  
  型号：IXFZ520N075T2
  仓库库存编号：IXFZ520N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 44A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N60
  仓库库存编号：IXFN44N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 27A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN27N80Q
  仓库库存编号：IXFN27N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT33N90JCU2
  仓库库存编号：APT33N90JCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT33N90JCU3
  仓库库存编号：APT33N90JCU3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 50A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT50N60JCCU2
  仓库库存编号：APT50N60JCCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN23N100
  仓库库存编号：IXFN23N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 34A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN34N80
  仓库库存编号：IXFN34N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 550W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL34N100
  仓库库存编号：IXFL34N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 30A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB30N120P
  仓库库存编号：IXFB30N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 138A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN170N30P
  仓库库存编号：IXFN170N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 295A（Tc） 1070W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN300N10P
  仓库库存编号：IXFN300N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 32A（Tc） 520AW（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN32N60
  仓库库存编号：IXFN32N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 21A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN21N100
  仓库库存编号：IXTN21N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 41A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE48N50QD2
  仓库库存编号：IXFE48N50QD2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 41A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE48N50QD3
  仓库库存编号：IXFE48N50QD3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 39A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE44N50QD2
  仓库库存编号：IXFE44N50QD2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 39A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE44N50QD3
  仓库库存编号：IXFE44N50QD3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索