产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 100A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN100N20
仓库库存编号:
IXFN100N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 70V 180A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN180N07
仓库库存编号:
IXFN180N07-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 250V 100A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN100N25
仓库库存编号:
IXFN100N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 250V 120A(Tc) 690W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN140N25T
仓库库存编号:
IXFN140N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 240A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 150V 240A(Tc) 830W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN240N15T2
仓库库存编号:
IXFN240N15T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 70V 280A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN280N07
仓库库存编号:
IXFN280N07-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 32A SOT227
详细描述:底座安装 P 沟道 600V 32A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN32P60P
仓库库存编号:
IXTN32P60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 90A SOT227
详细描述:底座安装 P 沟道 200V 90A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN90P20P
仓库库存编号:
IXTN90P20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 650V 94A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 94A(Tc) 833W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT94N65B2C3G
仓库库存编号:
APT94N65B2C3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 47A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE50N50
仓库库存编号:
IXFE50N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 41A(Tc) 500W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL44N60
仓库库存编号:
IXFL44N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 40A(Tc) 290W(Tc) SOT-227B
型号:
IXKN40N60C
仓库库存编号:
IXKN40N60C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 41A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE44N60
仓库库存编号:
IXFE44N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 47A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE55N50
仓库库存编号:
IXFE55N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 21A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN21N100Q
仓库库存编号:
IXFN21N100Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 600A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 600A(Tc) 830W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1T600N04T2
仓库库存编号:
MMIX1T600N04T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 700W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL60N60
仓库库存编号:
IXFL60N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 200A(Tc) 550W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN200N10T
仓库库存编号:
IXTN200N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 76A(Tc) 310W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR80N10Q
仓库库存编号:
IXFR80N10Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT75N10
仓库库存编号:
IXTT75N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 21A(Tc) 500W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK21N100
仓库库存编号:
IXTK21N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 900V 34A(Tc) 580W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL39N90
仓库库存编号:
IXFL39N90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 72A(Tc) 1136W(Tc) SOT-227
型号:
VS-FA72SA50LC
仓库库存编号:
VS-FA72SA50LC-ND
别名:VSFA72SA50LC
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 22A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE24N100
仓库库存编号:
IXFE24N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 50A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN50N50
仓库库存编号:
IXFN50N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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