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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 41A TO-247A
  详细描述：通孔 N 沟道 41A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH41N25
  仓库库存编号：IXTH41N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 22A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR36P15P
  仓库库存编号：IXTR36P15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 880W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH150N17T2
  仓库库存编号：IXFH150N17T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 69A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 69A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ69N30P
  仓库库存编号：IXTQ69N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 73A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 73A（Tc） 520W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW73N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW73N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH099N60E
  仓库库存编号：FCH099N60E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SMM2348ES-T1-GE3
  仓库库存编号：SMM2348ES-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 88A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ88N15
  仓库库存编号：IXTQ88N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 48A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R060P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R060P7XKSA1-ND
  别名：SP001658404
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 164W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R060P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R060P7XKSA1-ND
  别名：SP001658410
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 164W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R060P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R060P7XKSA1-ND
  别名：SP001647042
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 86A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） 860W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH86N30T
  仓库库存编号：IXFH86N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 55V 360A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 360A（Tc） 935W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH360N055T2
  仓库库存编号：IXTH360N055T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Ta） 125W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1835-E
  仓库库存编号：2SK1835-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 715W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ170N10P
  仓库库存编号：IXTQ170N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ200N06P
  仓库库存编号：IXTQ200N06P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXKC23N60C5
  仓库库存编号：IXKC23N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET P-CH 500V 11A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 500V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH11P50
  仓库库存编号：IXTH11P50-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FDM15-06KC5
  仓库库存编号：FDM15-06KC5-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMD15-06KC5
  仓库库存编号：FMD15-06KC5-ND
  
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  MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 50A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT50P10
  仓库库存编号：IXTT50P10-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH35N60C5
  仓库库存编号：IXKH35N60C5-ND
  
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  MOSFET N-CH 300V 69A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 69A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH69N30P
  仓库库存编号：IXFH69N30P-ND
  
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  MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH75N15
  仓库库存编号：IXTH75N15-ND
  
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  MOSFET P-CH 200V 24A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT24P20
  仓库库存编号：IXTT24P20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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