产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 64A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT64N25P
仓库库存编号：
IXTT64N25P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 480W（Tc） TO-268
型号：
IXTT74N20P
仓库库存编号：
IXTT74N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 96A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 96A（Tc） 480W（Tc） TO-268
型号：
IXTT96N15P
仓库库存编号：
IXTT96N15P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 110A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 480W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH110N15T2
仓库库存编号：
IXFH110N15T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 130A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 830W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH130N20T
仓库库存编号：
IXTH130N20T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 125W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH2R4N120P
仓库库存编号：
IXTH2R4N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 48A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 275W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH48N20
仓库库存编号：
IXTH48N20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ120N15P
仓库库存编号：
IXTQ120N15P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ140N10P
仓库库存编号：
IXTQ140N10P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 82A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ82N25P
仓库库存编号：
IXTQ82N25P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ96N20P
仓库库存编号：
IXTQ96N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 85V 50A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXTT50P085
仓库库存编号：
IXTT50P085-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 80A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
RJK1001DPP-E0#T2
仓库库存编号：
RJK1001DPP-E0#T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 480W（Tc） TO-268
型号：
IXTT110N10P
仓库库存编号：
IXTT110N10P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 25A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R125CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI60R125CPXKSA1-ND
别名：IPI60R125CP
IPI60R125CP-ND
SP000297355
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 230A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 230A（Tc） 650W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH230N10T
仓库库存编号：
IXFH230N10T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R110CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPP65R110CFDXKSA1-ND
别名：IPP65R110CFD
IPP65R110CFD-ND
SP000895226
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH3N120
仓库库存编号：
IXTH3N120-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 275W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH60N15
仓库库存编号：
IXTH60N15-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 880W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH160N15T2
仓库库存编号：
IXFH160N15T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 110A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 694W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH110N25T
仓库库存编号：
IXFH110N25T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R080P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R080P7XKSA1-ND
别名：SP001658398
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 129W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP60R080P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R080P7XKSA1-ND
别名：SP001647034
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH96N20P
仓库库存编号：
IXTH96N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH120N15P
仓库库存编号：
IXFH120N15P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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