产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP3N80
仓库库存编号:
IXFP3N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 300A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300A(Tc) 480W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH300N04T2
仓库库存编号:
IXTH300N04T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ110N10P
仓库库存编号:
IXTQ110N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ150N06P
仓库库存编号:
IXTQ150N06P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) TO-220AB
型号:
IXKP24N60C5
仓库库存编号:
IXKP24N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) TO-220ABFP
型号:
IXKP24N60C5M
仓库库存编号:
IXKP24N60C5M-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 29W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R099P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R099P7XKSA1-ND
别名:SP001658390
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 117W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R099P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R099P7XKSA1-ND
别名:SP001647032
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBF30
仓库库存编号:
IRFBF30-ND
别名:*IRFBF30
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC40G
仓库库存编号:
IRFIBC40G-ND
别名:*IRFIBC40G
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 220A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 220A(Tc) 360W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA220N04T2-7
仓库库存编号:
IXTA220N04T2-7-ND
别名:IXTA220N04T27
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 230A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 230A(Tc) 480W(Tc) TO-263-7
型号:
IXTA230N075T2-7
仓库库存编号:
IXTA230N075T2-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 52A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 52A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH52P10P
仓库库存编号:
IXTH52P10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH110N10P
仓库库存编号:
IXFH110N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH52N30P
仓库库存编号:
IXFH52N30P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 96A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 480W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH96N15P
仓库库存编号:
IXFH96N15P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 557A(Tc) 416W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRL40SC228
仓库库存编号:
IRL40SC228CT-ND
别名:IRL40SC228CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC15N60C5
仓库库存编号:
IXKC15N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 260A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 260A(Tc) 480W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH260N055T2
仓库库存编号:
IXTH260N055T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 117W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R099P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R099P7XKSA1-ND
别名:SP001647038
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1317-E
仓库库存编号:
2SK1317-E-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) TO-247AD(IXKH)
型号:
IXKH24N60C5
仓库库存编号:
IXKH24N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 230A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 230A(Tc) 480W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH230N075T2
仓库库存编号:
IXFH230N075T2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA3N110
仓库库存编号:
IXTA3N110-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 52A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXTT52N30P
仓库库存编号:
IXTT52N30P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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