产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 254W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8860
仓库库存编号:
FDB8860CT-ND
别名:FDB8860CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 220A(Tc) 283W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP5860NG
仓库库存编号:
NTP5860NG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N04-1M9_GE3
仓库库存编号:
SQM120N04-1M9_GE3-ND
别名:SQM120N04-1M9-GE3
SQM120N04-1M9-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 375W(Tc) TO-263-7
型号:
SQM200N04-1M7L_GE3
仓库库存编号:
SQM200N04-1M7L_GE3-ND
别名:SQM200N04-1M7L-GE3
SQM200N04-1M7L-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 21.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 21.5A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),500W(Tc) TO-220
型号:
AOT270AL
仓库库存编号:
AOT270AL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),210A(Tc) 1.06W(Ta),104W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4933NT3G
仓库库存编号:
NTMFS4933NT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 20.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.5A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),333W(Tc) TO-220
型号:
AOT280L
仓库库存编号:
AOT280L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN3R3-80ES,127
仓库库存编号:
1727-6502-ND
别名:1727-6502
568-8598-5
568-8598-5-ND
934066133127
PSMN3R380ES127
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 120V 72A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Ta) 255W(Tc) TO-220-3
型号:
TK72E12N1,S1X
仓库库存编号:
TK72E12N1S1X-ND
别名:TK72E12N1,S1X(S
TK72E12N1S1X
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.6A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF190N65FL1
仓库库存编号:
FCPF190N65FL1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34STRRPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 110A(Tc) 230W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM110P06-8M9L_GE3
仓库库存编号:
SQM110P06-8M9L_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 230W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N06-06_GE3
仓库库存编号:
SQM120N06-06_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 P 沟道 100A(Tc) 187W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP100P06-9M3L_GE3
仓库库存编号:
SQP100P06-9M3L_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 175W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP120N06-06_GE3
仓库库存编号:
SQP120N06-06_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP120N10-09_GE3
仓库库存编号:
SQP120N10-09_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-262-3
型号:
SQV120N06-4M7L_GE3
仓库库存编号:
SQV120N06-4M7L_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-262-3
型号:
SQV120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQV120N10-3M8_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM100N10-10_GE3
仓库库存编号:
SQM100N10-10_GE3-ND
别名:SQM100N10-10-GE3
SQM100N10-10-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N04-1M7_GE3
仓库库存编号:
SQM120N04-1M7_GE3-ND
别名:SQM120N04-1M7-GE3
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 P 沟道 93A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM100P10-19L_GE3
仓库库存编号:
SQM100P10-19L_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N10-09_GE3
仓库库存编号:
SQM120N10-09_GE3-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Tc) 42W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA08N100P
仓库库存编号:
IXTA08N100P-ND
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Sanken
MOSFET N-CH 40V TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK3801
仓库库存编号:
2SK3801-ND
别名:2SK3801 DK
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SQD40N06-25L-GE3
仓库库存编号:
SQD40N06-25L-GE3-ND
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