产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 5W（Ta），56W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7374DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7374DP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7738DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7738DP-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD25N15-52-T4-E3
仓库库存编号：
SUD25N15-52-T4-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NAFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 500MA 3DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Tj） 2.5W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
TN2640K4-G
仓库库存编号：
TN2640K4-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Ta） 1W（Ta），50W（Tc） TO-251（MP-3）
型号：
2SK3482-AZ
仓库库存编号：
2SK3482-AZ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30SPBF
仓库库存编号：
IRFBC30SPBF-ND
别名：*IRFBC30SPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-263AB
型号：
IRF840LPBF
仓库库存编号：
IRF840LPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），190W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ48SPBF
仓库库存编号：
IRFZ48SPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 18W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK8A10K3,S5Q
仓库库存编号：
TK8A10K3S5Q-ND
别名：TK8A10K3,S5Q(M
TK8A10K3,S5Q,M
TK8A10K3S5Q
TK8A10K3S5QM
TK8A10K3S5QM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），250A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLAFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 2W（Ta），30W（Tc） TO-220ML
型号：
BMS4007-1E
仓库库存编号：
BMS4007-1E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z10
仓库库存编号：
IRF9Z10-ND
别名：*IRF9Z10
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA80R1K2P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA80R1K2P7XKSA1-ND
别名：SP001644600
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP80R1K2P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP80R1K2P7XKSA1-ND
别名：SP001644606
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 60V TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta） 40W（Tc） TO-220F
型号：
2SK2420
仓库库存编号：
2SK2420-ND
别名：2SK2420 DK
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.6W（Ta），30W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8052-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCA8052-H(TE12LQMCT-ND
别名：TPCA8052-H(TE12LQMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 176W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB9406_F085
仓库库存编号：
FDB9406_F085CT-ND
别名：FDB9406_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44STRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ44STRLPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 157W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM110N05-06L_GE3
仓库库存编号：
SQM110N05-06L_GE3-ND
别名：SQM110N05-06L-GE3
SQM110N05-06L-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM120N02-1M3L_GE3
仓库库存编号：
SQM120N02-1M3L_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
型号：
SQM200N04-1M8_GE3
仓库库存编号：
SQM200N04-1M8_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 42W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY1N80P
仓库库存编号：
IXTY1N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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