产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SO
型号:
SI4390DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4390DY-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SO
型号:
SI4390DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4390DY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Ta) 3.8W(Ta),158W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5830NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5830NLT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN7R8-120ESQ
仓库库存编号:
1727-1509-ND
别名:1727-1509
568-10989-5
568-10989-5-ND
934067449127
PSMN7R8-120ESQ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta) 25W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2279H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2279H-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2160H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2160H-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.4A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7302DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7302DN-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC20GPBF
仓库库存编号:
IRFIBC20GPBF-ND
别名:*IRFIBC20GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 450mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD214
仓库库存编号:
IRFD214-ND
别名:*IRFD214
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1.1A(Tc) 1W(Tc) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9010
仓库库存编号:
IRFD9010-ND
别名:*IRFD9010
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE822DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE822DF-T1-E3TR-ND
别名:SIE822DF-T1-E3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7194DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7194DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7194DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 28A(Tc) 5.2W(Ta),83.3W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7455DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7455DP-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 28A(Tc) 5.2W(Ta),83.3W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7455DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7455DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7846DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7846DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 200V TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Ta) 35W(Tc) TO-220F
型号:
2SK3003
仓库库存编号:
2SK3003-ND
别名:2SK3003 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 60V TO220S
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Ta) 100W(Tc) TO-220S
型号:
2SK3710
仓库库存编号:
2SK3710-ND
别名:2SK3710 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Ta) 35W(Tc) TO-220F
型号:
FKV550T
仓库库存编号:
FKV550T-ND
别名:FKV550T DK
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),235A(Tc) 3.8W(Ta), 167W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C612NLT3G
仓库库存编号:
NTMFS5C612NLT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Ta) 3.8W(Ta),158W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5830NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5830NLWFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 38A
详细描述:表面贴装 P 沟道 38A(Ta) 1.65W(Ta),65W(Tc) TO-263-2
型号:
2SJ661-DL-1E
仓库库存编号:
2SJ661-DL-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 100V 31A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 40W(Tc) TO-220F
型号:
FKI10198
仓库库存编号:
FKI10198-ND
别名:FKI10198 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 312A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Ta), 330A(Tc) 3.8W(Ta), 167W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C410NLTT3G
仓库库存编号:
NTMFS5C410NLTT3G-ND
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无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Ta),80A(Tc) 255W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP060AN08A0
仓库库存编号:
FDP060AN08A0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 260mA(Tj) 1.3W(Ta) 8-SOIC
型号:
TN2640LG-G
仓库库存编号:
TN2640LG-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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