产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF610STRLPBF
仓库库存编号：
IRF610STRLPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF610STRRPBF
仓库库存编号：
IRF610STRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF614STRRPBF
仓库库存编号：
IRF614STRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
IRF530STRRPBF
仓库库存编号：
IRF530STRRPBFCT-ND
别名：IRF530STRRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Ta），100A（Tc） 7.3W（Ta），208W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6590
仓库库存编号：
AON6590-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 80A（Ta） 84W（Tc） ATPAK
型号：
NVATS5A302PLZT4G
仓库库存编号：
NVATS5A302PLZT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR870ADP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIR870ADP-T1-RE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 350V 0.231A SOT89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 231mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TP2435N8-G
仓库库存编号：
TP2435N8-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.8W（Ta），125W（Tc） TO-220AB
型号：
DMTH6005LCT
仓库库存编号：
DMTH6005LCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z14STRLPBF
仓库库存编号：
IRF9Z14STRLPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 128W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C426NT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C426NT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta）, 235A（Tc） 3.8W（Ta）, 128W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C426NAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C426NAFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） TO-220-5
型号：
BUK7907-40ATC,127
仓库库存编号：
BUK7907-40ATC,127-ND
别名：934057270127
BUK7907-40ATC
BUK7907-40ATC-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7170DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7170DP-T1-GE3TR-ND
别名：SI7170DP-T1-GE3TR
SI7170DPT1GE3
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0455DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0455DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0455DPB-00#J5-ND
RJK0455DPB-00#J5TR
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0655DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0655DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0655DPB-00#J5-ND
RJK0655DPB-00#J5TR
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0855DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0855DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0855DPB-00#J5-ND
RJK0855DPB-00#J5TR
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta），110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C430NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C430NLWFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），200A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C430NLWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C430NLWFAFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 120W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP100N04-3M6_GE3
仓库库存编号：
SQP100N04-3M6_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 107W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP60N06-15_GE3
仓库库存编号：
SQP60N06-15_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 86mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
型号：
TP2540N3-G-P002
仓库库存编号：
TP2540N3-G-P002-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 211A 8-VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 211A (Tc) 139W（Tc） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD18512Q5BT
仓库库存编号：
CSD18512Q5BT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
型号：
HAT2164H-EL-E
仓库库存编号：
HAT2164H-EL-E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 25W（Tc） 5-LFPAK
型号：
HAT2261H-EL-E
仓库库存编号：
HAT2261H-EL-E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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