产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 24A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 24A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），156W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6292
仓库库存编号：
AON6292-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） TO-262-3
型号：
IRF720LPBF
仓库库存编号：
IRF720LPBF-ND
别名：*IRF720LPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 56A（Tc） 96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC160N15NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC160N15NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC160N15NS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 200V 0.26A SOT89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 260mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TP2520N8-G
仓库库存编号：
TP2520N8-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 45A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0653DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0653DPB-00#J5CT-ND
别名：RJK0653DPB-00#J5CT
RJK0653DPB00J5
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 40A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0853DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0853DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0853DPB-00#J5-ND
RJK0853DPB-00#J5TR
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 167W（Tc） D2PAK-3
型号：
NVB6412ANT4G
仓库库存编号：
NVB6412ANT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Ta） 2.1W（Ta）, 110W（Tc） TO-220-3
型号：
NDPL100N10BG
仓库库存编号：
NDPL100N10BG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 20.3A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 20.3A（Tc） 62W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK7575-55A,127
仓库库存编号：
568-9767-5-ND
别名：568-9767-5
934056259127
BUK7575-55A
BUK7575-55A,127-ND
BUK7575-55A-ND
BUK757555A127
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.9A（Tc） 18W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU80R3K3P7AKMA1
仓库库存编号：
IPU80R3K3P7AKMA1-ND
别名：SP001636448
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN003-30P,127
仓库库存编号：
PSMN003-30P,127-ND
别名：934056787127
PSMN003-30P
PSMN003-30P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 23W（Tc） LFPAK
型号：
HAT2266H-EL-E
仓库库存编号：
HAT2266H-EL-E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLWFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 28A（Ta），150A（Tc） 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLWFAFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 293W（Tc） D2PAK
型号：
BUK762R0-40E,118
仓库库存编号：
1727-1089-1-ND
别名：1727-1089-1
568-10242-1
568-10242-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Ta） 3.2W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16570Q5B
仓库库存编号：
CSD16570Q5B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.8W（Ta），110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C430NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C430NLT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 38A（Ta），200A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C430NLAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C430NLAFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0620N3-G-P002
仓库库存编号：
TN0620N3-G-P002-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0620N3-G-P014
仓库库存编号：
TN0620N3-G-P014-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 220V 260mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TP2522N8-G
仓库库存编号：
TP2522N8-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 25A HWSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta） 15W（Tc） 8-HWSON（3.3x3.3）
型号：
RJK03M5DNS-00#J5
仓库库存编号：
RJK03M5DNS-00#J5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 250V 630mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD224
仓库库存编号：
IRFD224-ND
别名：*IRFD224
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF710STRLPBF
仓库库存编号：
IRF710STRLPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 13.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7110DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7110DN-T1-GE3TR-ND
别名：SI7110DN-T1-GE3TR
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