产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 11A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta），72A（Tc） 2.1W（Ta），100W（Tc） TO-220
型号：
AOT2608L
仓库库存编号：
785-1437-5-ND
别名：785-1437-5
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C450NT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C450NT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta）, 102A（Tc） 3.6W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C450NAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C450NAFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 34A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta） 1.2W（Ta），88W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
型号：
NP34N055SLE-E1-AY
仓库库存编号：
NP34N055SLE-E1-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 52A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 1.2W（Ta），56W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
型号：
NP52N055SUG-E1-AY
仓库库存编号：
NP52N055SUG-E1-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 36A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 1.2W（Ta），56W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
型号：
NP36P04SDG-E1-AY
仓库库存编号：
NP36P04SDG-E1-AYCT-ND
别名：NP36P04SDG-E1-AYCT
NP36P04SDGE1AY
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C450NWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C450NWFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta）, 102A（Tc） 3.6W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C450NWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C450NWFAFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR862DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR862DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR862DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 26.5A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 26.5A（Ta），85A（Tc） 7.4W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6282
仓库库存编号：
AON6282-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 62W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD25N06-22L_T4GE3
仓库库存编号：
SQD25N06-22L_T4GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR214PBF
仓库库存编号：
IRFR214PBF-ND
别名：*IRFR214PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR214TRRPBF
仓库库存编号：
IRFR214TRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7114DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7114DN-T1-GE3TR-ND
别名：SI7114DN-T1-GE3TR
SI7114DNT1GE3
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7114DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7114DN-T1-GE3DKR-ND
别名：SI7114DN-T1-GE3DKR
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta） 700mW（Ta），39W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN1110ENH,L1Q
仓库库存编号：
TPN1110ENHL1QCT-ND
别名：TPN1110ENHL1QCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7230DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7230DN-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7230DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7230DN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7421DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7421DN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7806ADN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7806ADN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 83W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD100N02-3M5L_GE3
仓库库存编号：
SQD100N02-3M5L_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ403EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ403EP-T1_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
ZXMN6A25N8TA
仓库库存编号：
ZXMN6A25N8TADI-ND
别名：ZXMN6A25N8TADI
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Fairchild/ON Semiconductor
PT9 30V/16V NCH POWERTRENCH MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 163A (Tc) 75W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS2D4N03S
仓库库存编号：
FDMS2D4N03S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0106N3-G-P003
仓库库存编号：
TN0106N3-G-P003-ND
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