产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(14495)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(14495)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(538)
Diodes Incorporated(673)
Fairchild/Micross Components(2)
Fairchild/ON Semiconductor(1342)
Infineon Technologies(4378)
IXYS(1103)
IXYS Integrated Circuits Division(5)
Micro Commercial Co(18)
Microchip Technology(141)
Microsemi Corporation(204)
Nexperia USA Inc.(591)
NXP USA Inc.(247)
ON Semiconductor(1298)
Panasonic Electronic Components(31)
Renesas Electronics America(232)
Rohm Semiconductor(263)
Sanken(85)
STMicroelectronics(588)
Taiwan Semiconductor Corporation(268)
Texas Instruments(99)
Torex Semiconductor Ltd(4)
Toshiba Semiconductor and Storage(304)
Vishay Semiconductor Diodes Division(9)
Vishay Siliconix(2072)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 500W（Tc） TO-247AC
型号：
SUG80050E-GE3
仓库库存编号：
SUG80050E-GE3CT-ND
别名：SUG80050E-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），110A（Tc） 3.13W（Ta），312W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110N04-2M1P-E3
仓库库存编号：
SUM110N04-2M1P-E3CT-ND
别名：SUM110N04-2M1P-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 65A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF150N10F7
仓库库存编号：
497-15013-5-ND
别名：497-15013-5
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 120A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220
型号：
STP260N6F6
仓库库存编号：
497-11230-5-ND
别名：497-11230-5
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF130N10F3
仓库库存编号：
497-13098-5-ND
别名：497-13098-5
STF130N10F3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Ta），120A（Tc） 3W（Ta），214W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI020N06NAKSA1
仓库库存编号：
IPI020N06NAKSA1-ND
别名：IPI020N06N
IPI020N06N-ND
SP000962132
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1500V 2A
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Ta） 2.5W（Ta），110W（Tc） TO-3P-3L
型号：
2SK3746-1E
仓库库存编号：
2SK3746-1EOS-ND
别名：2SK3746-1E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 192W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R165CP
仓库库存编号：
IPW60R165CP-ND
别名：IPW60R165CPFKSA1
IPW60R165CPX
IPW60R165CPXK
SP000095483
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-220AB（IXFP）
型号：
IXFP80N25X3
仓库库存编号：
IXFP80N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-263AA
型号：
IXFA80N25X3
仓库库存编号：
IXFA80N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
IXYS
250V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 780W（Tc） TO-247
型号：
IXFH150N25X3
仓库库存编号：
IXFH150N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 170A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 960W（Tc） TO-247（IXFH）
型号：
IXFH170N25X3
仓库库存编号：
IXFH170N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 170A TO264
详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXFK）
型号：
IXFK170N25X3
仓库库存编号：
IXFK170N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
POWER MODULE 100V 435A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 435A（Tc） 652W（Tc） SOT-227
型号：
VS-FC420SA10
仓库库存编号：
VS-FC420SA10GICT-ND
别名：VS-FC420SA10GICT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
搜索
IXYS
250V/240A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
详细描述：通孔 N 沟道 240A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX240N25X3
仓库库存编号：
IXFX240N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 140A（Tc） 500W（Tc） ISOTOP?
型号：
STE140NF20D
仓库库存编号：
497-10986-5-ND
别名：497-10986-5
STE140NF20D-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 90W（Tc） DPAK
型号：
STD19NF20
仓库库存编号：
STD19NF20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 310mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23
型号：
DMN65D8LQ-13
仓库库存编号：
DMN65D8LQ-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
LOAD SWITCH CURRENT REDUCTION
型号：
SSM3K7002KFU,LF
仓库库存编号：
SSM3K7002KFULF-ND
别名：SSM3K7002KFU,LF(B
SSM3K7002KFU,LF(T
SSM3K7002KFULF
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 380mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23
型号：
DMN63D1L-13
仓库库存编号：
DMN63D1L-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Ta） 320mW（Ta） SOT-323
型号：
DMN53D0LW-13
仓库库存编号：
DMN53D0LW-13DITR-ND
别名：DMN53D0LW-13DITR
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 310mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23
型号：
DMN65D8LQ-7
仓库库存编号：
DMN65D8LQ-7-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 380mA（Ta） 310mW（Ta） SOT-323
型号：
DMN63D1LW-13
仓库库存编号：
DMN63D1LW-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 180MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 180mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23
型号：
2N7002AQ-13
仓库库存编号：
2N7002AQ-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 0.196A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 196mA（Ta） 347mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
NTR5105PT1G
仓库库存编号：
NTR5105PT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
232
233
234
235
236
237
238
239
240
241
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
