产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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STMicroelectronics
MOSFET NCH 30V 45A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 P 沟道 45A(Tc) 4.8W(Ta), 75W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL45P3LLH6
仓库库存编号:
STL45P3LLH6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18.6A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.6A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR624DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR624DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR624DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA46EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA46EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA46EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA02EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA02EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA02EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA62EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA62EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA62EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA90EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA90EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA90EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET PCH 40V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD40P3LLH6
仓库库存编号:
STD40P3LLH6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 103W(Tc) DPAK
型号:
STD10NF30
仓库库存编号:
STD10NF30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 83W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM089N08LCR RLG
仓库库存编号:
TSM089N08LCR RLGTR-ND
别名:TSM089N08LCR RLGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 83W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM089N08LCR RLG
仓库库存编号:
TSM089N08LCR RLGCT-ND
别名:TSM089N08LCR RLGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 83W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM089N08LCR RLG
仓库库存编号:
TSM089N08LCR RLGDKR-ND
别名:TSM089N08LCR RLGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 109A(Tc) 114W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C658NLTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C658NLTAGOSCT-ND
别名:NVTFS5C658NLTAGOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
TRENCH 6 60V FET
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 46W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C673NLWFAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C673NLWFAFT1GOSCT-ND
别名:NVMFS5C673NLWFAFT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 60A SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ409EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ409EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ409EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM900N06CH X0G
仓库库存编号:
TSM900N06CH X0G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET NCH 60V 20A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 4.8W(Ta), 75W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL20NF06LAG
仓库库存编号:
STL20NF06LAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 40V 46A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 46A(Tc) 70W(Tc) DPAK
型号:
STD46P4LLF6
仓库库存编号:
497-15463-1-ND
别名:497-15463-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223(TO-261)
型号:
NVF2955T1G
仓库库存编号:
NVF2955T1GOSCT-ND
别名:NVF2955T1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
TRENCH 6 60V FET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 28W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C682NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5C682NLT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5C682NLT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 109A(Tc) 114W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C658NLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C658NLWFTAGOSCT-ND
别名:NVTFS5C658NLWFTAGOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 65W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL8N6LF3
仓库库存编号:
STL8N6LF3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 125V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR696DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR696DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR696DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 185A(Tc) 104W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM018NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM018NA03CR RLGTR-ND
别名:TSM018NA03CR RLGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 185A(Tc) 104W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM018NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM018NA03CR RLGCT-ND
别名:TSM018NA03CR RLGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 185A(Tc) 104W(Tc) 8-PDFN(5x6)
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