产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(14495)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(14495)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(538)
Diodes Incorporated(673)
Fairchild/Micross Components(2)
Fairchild/ON Semiconductor(1342)
Infineon Technologies(4378)
IXYS(1103)
IXYS Integrated Circuits Division(5)
Micro Commercial Co(18)
Microchip Technology(141)
Microsemi Corporation(204)
Nexperia USA Inc.(591)
NXP USA Inc.(247)
ON Semiconductor(1298)
Panasonic Electronic Components(31)
Renesas Electronics America(232)
Rohm Semiconductor(263)
Sanken(85)
STMicroelectronics(588)
Taiwan Semiconductor Corporation(268)
Texas Instruments(99)
Torex Semiconductor Ltd(4)
Toshiba Semiconductor and Storage(304)
Vishay Semiconductor Diodes Division(9)
Vishay Siliconix(2072)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 2.7W(Ta) TO-252
型号:
DMT8012LK3-13
仓库库存编号:
DMT8012LK3-13DICT-ND
别名:DMT8012LK3-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta) 3W(Ta),33W(Tc) 8-HSOP
型号:
RS1E300GNTB
仓库库存编号:
RS1E300GNTBCT-ND
别名:RS1E300GNTBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 2.9W(Ta), 48W(Tc) PowerFlat?(3.3x3.3)
型号:
STL11N6F7
仓库库存编号:
497-16501-1-ND
别名:497-16501-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS430DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS430DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS430DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 28A 5X6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Ta),28A(Tc) 2.5W(Ta),63W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6482
仓库库存编号:
785-1229-1-ND
别名:785-1229-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 40V 36A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 36A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD36P4LLF6
仓库库存编号:
497-16034-1-ND
别名:497-16034-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 3.2W(Ta) 8-SO
型号:
STS8N6LF6AG
仓库库存编号:
497-17150-1-ND
别名:497-17150-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR460DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR460DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR460DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),50W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR436DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR436DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR436DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS7656AS
仓库库存编号:
FDMS7656ASCT-ND
别名:FDMS7656ASCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 60 V 4.2 MOHM TYP. 80
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 134W(Tc) DPAK
型号:
STD130N6F7
仓库库存编号:
497-17305-1-ND
别名:497-17305-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 134W(Tc) DPAK
型号:
STD134N4F7AG
仓库库存编号:
497-17306-1-ND
别名:497-17306-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 172W(Tc) DPAK
型号:
STD170N4F7AG
仓库库存编号:
497-17307-1-ND
别名:497-17307-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
POWER TRANSISTORS
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 111W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL140N4F7AG
仓库库存编号:
497-16679-1-ND
别名:497-16679-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
POWER TRANSISTORS
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 127W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL190N4F7AG
仓库库存编号:
497-16678-1-ND
别名:497-16678-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7464DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7464DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7464DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7464DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7464DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7464DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 48A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 60W(Tc) I-Pak
型号:
STU60N3LH5
仓库库存编号:
497-12697-5-ND
别名:497-12697-5
STU60N3LH5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 28W(Tc) TO-220 整包
型号:
IPA65R650CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R650CEXKSA1-ND
别名:SP001295804
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR476DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR476DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR476DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34STRLPBFCT-ND
别名:IRF9Z34STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7634BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7634BDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7634BDP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 60 V, 0.0028 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 158W(Tc) H2PAK-6
型号:
STH140N6F7-6
仓库库存编号:
497-16971-1-ND
别名:497-16971-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 136W(Tc) TO-220
型号:
STP160N3LL
仓库库存编号:
497-16021-5-ND
别名:497-16021-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A PWRFLAT 5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 158W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STLD200N4F6AG
仓库库存编号:
497-17148-1-ND
别名:497-17148-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
216
217
218
219
220
221
222
223
224
225
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号