以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 19A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），52W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ034N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSZ034N04LSATMA1CT-ND
  别名：BSZ034N04LSATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：R6004ENDTL
  仓库库存编号：R6004ENDTLCT-ND
  别名：R6004ENDTLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 550mW（Ta） TSMT8
  
  型号：RQ1E070RPTR
  仓库库存编号：RQ1E070RPCT-ND
  别名：RQ1E070RPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR7540TRPBF
  仓库库存编号：IRFR7540TRPBFCT-ND
  别名：IRFR7540TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 63W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD390N15ALZ
  仓库库存编号：FDD390N15ALZCT-ND
  别名：FDD390N15ALZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP613PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP613PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP613PH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC117N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC117N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC117N08NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.6W（Ta），42W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH5900CNH,L1Q
  仓库库存编号：TPH5900CNHL1QCT-ND
  别名：TPH5900CNHL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 35V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），59A（Tc） 3.8W（Ta），55W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6635
  仓库库存编号：FDD6635CT-ND
  别名：FDD6635CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4100DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4100DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4100DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 125W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR8314TRPBF
  仓库库存编号：IRFR8314TRPBFCT-ND
  别名：IRFR8314TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 4.2W（Ta），35.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7143DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7143DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7143DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta），26A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86105
  仓库库存编号：FDMS86105CT-ND
  别名：FDMS86105CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 70A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD042P03L3GATMA1
  仓库库存编号：IPD042P03L3GATMA1CT-ND
  别名：IPD042P03L3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 23A 6-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 156W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7085TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7085TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7085TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4413ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4413ADY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4413ADY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4488DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4488DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4488DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD06N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD06N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD06N60C3INCT
  SPD06N60C3INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB037N06N3 G
  仓库库存编号：IPB037N06N3 GCT-ND
  别名：IPB037N06N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB029N06N3 G
  仓库库存编号：IPB029N06N3 GCT-ND
  别名：IPB029N06N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 184A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLB8314PBF
  仓库库存编号：IRLB8314PBF-ND
  别名：64-0101PBF
  64-0101PBF-ND
  SP001572766
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 14A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9530NPBF
  仓库库存编号：IRF9530NPBF-ND
  别名：*IRF9530NPBF
  SP001570634
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 40A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Ta） 67W（Tc） TO-220
  
  型号：TK40E06N1,S1X
  仓库库存编号：TK40E06N1S1X-ND
  别名：TK40E06N1,S1X(S
  TK40E06N1S1X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF540ZPBF
  仓库库存编号：IRF540ZPBF-ND
  别名：*IRF540ZPBF
  SP001561896
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK40A06N1,S4X
  仓库库存编号：TK40A06N1S4X-ND
  别名：TK40A06N1,S4X(S
  TK40A06N1,S4X-ND
  TK40A06N1S4X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索