产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD35N10S3L26ATMA1
仓库库存编号:
IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND
别名:IPD35N10S3L26ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 300V 350MA SC73
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 1.5W(Ta) SOT-223
型号:
BSP130,115
仓库库存编号:
1727-4928-1-ND
别名:1727-4928-1
568-6220-1
568-6220-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 46W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF13N03LA G
仓库库存编号:
IPF13N03LAGINCT-ND
别名:IPF13N03LAG
IPF13N03LAGINCT
IPF13N03LAINCT
IPF13N03LAINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0902NS
仓库库存编号:
BSC0902NSCT-ND
别名:BSC0902NSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N80C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD02N80C3ATMA1CT-ND
别名:SPD02N80C3ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 215W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R2-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-5295-1-ND
别名:1727-5295-1
568-6724-1
568-6724-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB090N06N3 G
仓库库存编号:
IPB090N06N3 GCT-ND
别名:IPB090N06N3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7424TRPBF
仓库库存编号:
IRF7424PBFCT-ND
别名:*IRF7424TRPBF
IRF7424PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 82A(Tc) 130W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN8R2-80YS,115
仓库库存编号:
1727-4272-1-ND
别名:1727-4272-1
568-4904-1
568-4904-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 6W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN80R2K0P7ATMA1
仓库库存编号:
IPN80R2K0P7ATMA1CT-ND
别名:IPN80R2K0P7ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP299H6327XUSA1
仓库库存编号:
BSP299H6327XUSA1CT-ND
别名:BSP299H6327XUSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 167W(Tc) DPAK
型号:
BUK7207-30B,118
仓库库存编号:
1727-5244-1-ND
别名:1727-5244-1
568-6568-1
568-6568-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7613-75B,118
仓库库存编号:
1727-4704-1-ND
别名:1727-4704-1
568-5852-1
568-5852-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7607-30B,118
仓库库存编号:
1727-4700-1-ND
别名:1727-4700-1
568-5848-1
568-5848-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 35.5A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35.5A(Tc) 85W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y28-75B,115
仓库库存编号:
1727-4609-1-ND
别名:1727-4609-1
568-5519-1
568-5519-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 117W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN011-80YS,115
仓库库存编号:
1727-4623-1-ND
别名:1727-4623-1
568-5577-1
568-5577-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB02N60S5ATMA1
仓库库存编号:
SPB02N60S5ATMA1CT-ND
别名:SPB02N60S5INCT
SPB02N60S5INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 96W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7613-60E,118
仓库库存编号:
1727-7250-1-ND
别名:1727-7250-1
568-9879-1
568-9879-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD031N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD021N03LGINCT
IPD021N03LGINCT-ND
IPD031N03LGINCT
IPD031N03LGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7832TRPBF
仓库库存编号:
IRF7832PBFCT-ND
别名:*IRF7832TRPBF
IRF7832PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R600C6BKMA1
仓库库存编号:
IPU60R600C6BKMA1-ND
别名:SP000931534
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD048N06L3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD048N06L3GBTMA1CT-ND
别名:IPD048N06L3GBTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3518TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3518TRPBFCT-ND
别名:IRFR3518TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600C6ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU039N03LGXK
仓库库存编号:
IPU039N03LGXK-ND
别名:IPU039N03L G
IPU039N03LGIN
IPU039N03LGIN-ND
SP000256162
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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