产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 6W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN80R4K5P7ATMA1
仓库库存编号:
IPN80R4K5P7ATMA1CT-ND
别名:IPN80R4K5P7ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 94W(Tc) DPAK
型号:
BUK7225-55A,118
仓库库存编号:
1727-7154-1-ND
别名:1727-7154-1
568-9637-1
568-9637-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),82A(Tc) 3.6W(Ta),46W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5303TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5303TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5303TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.5A(Tc) 11.5W(Tc) 6-PQFN(2x2)
型号:
IRL60HS118
仓库库存编号:
IRL60HS118CT-ND
别名:IRL60HS118CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 20A(Tc) 79W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
IRLR9343TRPBF
仓库库存编号:
IRLR9343TRPBFCT-ND
别名:IRLR9343TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),35W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ088N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ088N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ088N03LSGINCT
BSZ088N03LSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 88W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN2R5-30YL,115
仓库库存编号:
1727-4164-1-ND
别名:1727-4164-1
568-4680-1
568-4680-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB080N03L G
仓库库存编号:
IPB080N03L GCT-ND
别名:IPB080N03L GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 86A(Tc) 65W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N04S405ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S405ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S405ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB42N03S2L-13
仓库库存编号:
SPB42N03S2L13INCT-ND
别名:SPB42N03S2L13
SPB42N03S2L13INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 99W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7675-100A,118
仓库库存编号:
1727-7173-1-ND
别名:1727-7173-1
568-9658-1
568-9658-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9317TRPBF
仓库库存编号:
IRF9317TRPBFCT-ND
别名:IRF9317TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 76A(Tc) 106W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN8R5-60YS,115
仓库库存编号:
1727-4280-1-ND
别名:1727-4280-1
568-4969-1
568-4969-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 75W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7821TRPBF
仓库库存编号:
IRLR7821PBFCT-ND
别名:*IRLR7821TRPBF
IRLR7821PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 115W(Tc) DPAK
型号:
BUK7215-55A,118
仓库库存编号:
1727-7150-1-ND
别名:1727-7150-1
568-9633-1
568-9633-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 13W(Tc) TO-252
型号:
IPD80R4K5P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R4K5P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R4K5P7ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN60R600P7SATMA1
仓库库存编号:
IPN60R600P7SATMA1CT-ND
别名:IPN60R600P7SATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 115W (Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN2R0-25YLDX
仓库库存编号:
1727-2498-1-ND
别名:1727-2498-1
568-12930-1
568-12930-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD50P04P413ATMA1
仓库库存编号:
IPD50P04P413ATMA1CT-ND
别名:IPD50P04P413ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.5A(Tc) 11.5W(Tc) 6-PQFN(2x2)
型号:
IRL80HS120
仓库库存编号:
IRL80HS120CT-ND
别名:IRL80HS120CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 85W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7635-55A,118
仓库库存编号:
1727-7170-1-ND
别名:1727-7170-1
568-9655-1
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IRF40R207
仓库库存编号:
IRF40R207CT-ND
别名:IRF40R207CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R1K4C6
仓库库存编号:
IPD60R1K4C6CT-ND
别名:IPD60R1K4C6CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Nexperia USA Inc.
PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 135W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R7-25YLDX
仓库库存编号:
1727-2497-1-ND
别名:1727-2497-1
568-12929-1
568-12929-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO065N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO065N03MSGXUMA1CT-ND
别名:BSO065N03MS GINCT
BSO065N03MS GINCT-ND
BSO065N03MSG
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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