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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2H5ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND
  别名：IPB80N06S2H5ATMA2CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET NCH 80V 65A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 107W（Tj） Power56
  
  型号：FDWS86369_F085
  仓库库存编号：FDWS86369_F085CT-ND
  别名：FDWS86369_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 58W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI70N04S406AKSA1
  仓库库存编号：IPI70N04S406AKSA1-ND
  别名：IPI70N04S4-06
  IPI70N04S4-06-ND
  SP000711484
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP042N03LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP042N03LGXKSA1-ND
  别名：IPP042N03L G
  IPP042N03LG
  IPP042N03LGIN
  IPP042N03LGIN-ND
  IPP042N03LGXK
  SP000680792
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP041N04NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP041N04NGXKSA1-ND
  别名：IPP041N04N G
  IPP041N04N G-ND
  IPP041N04NG
  SP000680790
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.8A（Ta），70A（Tc） 3.1W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMTH6010LK3-13
  仓库库存编号：DMTH6010LK3-13DICT-ND
  别名：DMTH6010LK3-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 150V 17A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Ta），17A（Tc） 4.1W（Ta），39W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7254
  仓库库存编号：785-1675-1-ND
  别名：785-1675-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），54A（Tc） 55W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8880
  仓库库存编号：FDB8880CT-ND
  别名：FDB8880CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：IRF510STRRPBF
  仓库库存编号：IRF510STRRPBFCT-ND
  别名：IRF510STRRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），54W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR466DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR466DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR466DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 2.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：STS6P3LLH6
  仓库库存编号：497-15323-1-ND
  别名：497-15323-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.8A（Ta），24A（Tc） 2.3W（Ta），45W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC7664
  仓库库存编号：FDMC7664CT-ND
  别名：FDMC7664CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7676
  仓库库存编号：FDMS7676CT-ND
  别名：FDMS7676CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 60W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB7030BL
  仓库库存编号：FDB7030BLCT-ND
  别名：FDB7030BLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 3.9A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R1K4CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA80R1K4CEXKSA2-ND
  别名：SP001313390
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 10A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），42A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT10H015LFG-7
  仓库库存编号：DMT10H015LFG-7DICT-ND
  别名：DMT10H015LFG-7DICT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP126N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP126N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP126N10N3 G
  IPP126N10N3 G-ND
  SP000683088
  
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• Sanken
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 116W（Tc） TO-220-3
  
  型号：EKI04036
  仓库库存编号：EKI04036-ND
  别名：EKI04036 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP057N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP057N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPP057N06N3 G
  IPP057N06N3 G-ND
  IPP057N06N3G
  SP000680808
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S209AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S209AKSA2-ND
  别名：SP001061400
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS452DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS452DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS452DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMN10A25KTC
  仓库库存编号：ZXMN10A25KTCCT-ND
  别名：ZXMN10A25KTCCT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4848DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4848DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4848DY-T1-E3CT
  
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：RSD100N10TL
  仓库库存编号：RSD100N10TLCT-ND
  别名：RSD100N10TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E090RPTR
  仓库库存编号：RP1E090RPCT-ND
  别名：RP1E090RPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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