产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 20A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 231W(Tc) TO-247
型号:
R6020KNZ1C9
仓库库存编号:
R6020KNZ1C9-ND
别名:R6020KNZ1C9TR
R6020KNZ1C9TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E1R8-40E,127
仓库库存编号:
1727-7241-ND
别名:1727-7241
568-9849-5
568-9849-5-ND
934066512127
BUK7E1R840E127
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E5R2-100E,127
仓库库存编号:
1727-7247-ND
别名:1727-7247
568-9856-5
568-9856-5-ND
934066518127
BUK7E5R2100E127
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP70090E-GE3
仓库库存编号:
SUP70090E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN2R5-60PLQ
仓库库存编号:
1727-1056-ND
别名:1727-1056
568-10164-5
568-10164-5-ND
934067499127
PSMN2R560PLQ
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN4R3-100ES,127
仓库库存编号:
1727-6500-ND
别名:1727-6500
568-8596-5
568-8596-5-ND
934066116127
PSMN4R3100ES127
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP150N3LLH6
仓库库存编号:
497-9097-5-ND
别名:497-9097-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 220A(Tc) 440W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP220N06T3
仓库库存编号:
IXFP220N06T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 30A POWER MOSFET, TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 86W(Tc) TO-220FM
型号:
R6030KNX
仓库库存编号:
R6030KNX-ND
别名:R6030KNXTR
R6030KNXTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 24A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 74W(Tc) TO-3PF
型号:
R6024KNZC8
仓库库存编号:
R6024KNZC8-ND
别名:R6024KNZC8TR
R6024KNZC8TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 24A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 245W(Tc) TO-247
型号:
R6024KNZ1C9
仓库库存编号:
R6024KNZ1C9-ND
别名:R6024KNZ1C9TR
R6024KNZ1C9TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 220A(Tc) 440W(Tc) TO-263
型号:
IXFA220N06T3
仓库库存编号:
IXFA220N06T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 30A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 305W(Tc) TO-247
型号:
R6030KNZ1C9
仓库库存编号:
R6030KNZ1C9-ND
别名:R6030KNZ1C9TR
R6030KNZ1C9TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 30A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 86W(Tc) TO-3PF
型号:
R6030KNZC8
仓库库存编号:
R6030KNZC8-ND
别名:R6030KNZC8TR
R6030KNZC8TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP150NF04
仓库库存编号:
497-10075-5-ND
别名:497-10075-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tj) 405W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN4R8-100PSEQ
仓库库存编号:
1727-2471-ND
别名:1727-2471
568-12856
568-12856-ND
934068633127
PSMN4R8-100PSEQ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta),349A(Tc) 375W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD18536KTTT
仓库库存编号:
296-44122-1-ND
别名:296-44122-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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IXYS
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 517W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP110N12T2
仓库库存编号:
IXTP110N12T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 270A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP270N06T3
仓库库存编号:
IXFP270N06T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 270A(Tc) 480W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA270N06T3
仓库库存编号:
IXFA270N06T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
120V/140A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 140A(Tc) 577W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP140N12T2
仓库库存编号:
IXTP140N12T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 517W(Tc) TO-263AA
型号:
IXTA110N12T2
仓库库存编号:
IXTA110N12T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
120V/140A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 577W(Tc) TO-263AA
型号:
IXTA140N12T2
仓库库存编号:
IXTA140N12T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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IXYS
60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 220A(Tc) 440W(Tc) TO-247
型号:
IXFH220N06T3
仓库库存编号:
IXFH220N06T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 35A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 379W(Tc) TO-247
型号:
R6035KNZ1C9
仓库库存编号:
R6035KNZ1C9-ND
别名:R6035KNZ1C9TR
R6035KNZ1C9TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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