产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 325W（Tc） TO-220AB
型号：
HUF75345P3
仓库库存编号：
HUF75345P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 200A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP200N055T2
仓库库存编号：
IXTP200N055T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP85NF55
仓库库存编号：
497-6744-5-ND
别名：497-6744-5
STP85NF55-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH130N10T
仓库库存编号：
IXTH130N10T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 67A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 67A（Tc） 43W（Tc） TO-220F-3
型号：
FDPF045N10A
仓库库存编号：
FDPF045N10A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK100A08N1,S4X
仓库库存编号：
TK100A08N1S4X-ND
别名：TK100A08N1,S4X(S
TK100A08N1,S4X-ND
TK100A08N1S4X
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA3N100D2
仓库库存编号：
IXTA3N100D2-ND
别名：623496
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP030N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP030N10N3GXKSA1-ND
别名：IPP030N10N3 G
IPP030N10N3 G-ND
IPP030N10N3G
SP000680768
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 36A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 36A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP36P15P
仓库库存编号：
IXTP36P15P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 52A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 52A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP52P10P
仓库库存编号：
IXTP52P10P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-2PF-3
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Ta） 3W（Ta），65W（Tc） TO-3PF-3
型号：
2SK3748-1E
仓库库存编号：
2SK3748-1EOS-ND
别名：2SK3748-1E-ND
2SK3748-1EOS
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA6N100D2
仓库库存编号：
IXTA6N100D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH6N50D2
仓库库存编号：
IXTH6N50D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP3N120
仓库库存编号：
IXFP3N120-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP15N50L2
仓库库存编号：
IXTP15N50L2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 82A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tc） 500W（Tc） TO-268
型号：
IXTT82N25P
仓库库存编号：
IXTT82N25P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 38A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT38N60BC6
仓库库存编号：
APT38N60BC6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH15N50L2
仓库库存编号：
IXTH15N50L2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH21N50
仓库库存编号：
IXFH21N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH21N50
仓库库存编号：
IXTH21N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ88N30P
仓库库存编号：
IXTQ88N30P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH76N07-12
仓库库存编号：
IXFH76N07-12-ND
别名：IXFH76N0712
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH88N30P
仓库库存编号：
IXTH88N30P-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH76N07-11
仓库库存编号：
IXFH76N07-11-ND
别名：628431
IXFH76N0711
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MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXTR16P60P
仓库库存编号：
IXTR16P60P-ND
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