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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP4N100Q
  仓库库存编号：IXFP4N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 24A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH24P20
  仓库库存编号：IXTH24P20-ND
  别名：Q1163049
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH24N50
  仓库库存编号：IXFH24N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 200V 140A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK140N20P
  仓库库存编号：IXFK140N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 83W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH02N250
  仓库库存编号：IXTH02N250-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH75N10
  仓库库存编号：IXTH75N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 300V 160A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 1390W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK160N30T
  仓库库存编号：IXFK160N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 500V 40A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT40N50L2
  仓库库存编号：IXTT40N50L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA1N200P3HV
  仓库库存编号：IXTA1N200P3HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 320A（Tc） 1670W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX320N17T2
  仓库库存编号：IXFX320N17T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 110A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN140N30P
  仓库库存编号：IXFN140N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 106A（Tc） 521W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN106N20
  仓库库存编号：IXFN106N20-ND
  别名：460915
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET P-CH 500V 40A SOT227
  详细描述：底座安装 P 沟道 40A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN40P50P
  仓库库存编号：IXTN40P50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN120N20
  仓库库存编号：IXFN120N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 550A（Tc） 940W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN550N055T2
  仓库库存编号：IXTN550N055T2-ND
  别名：623216
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 26A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN26N90
  仓库库存编号：IXFN26N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 77A（Tc） 568W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT77N60JC3
  仓库库存编号：APT77N60JC3-ND
  别名：APT77N60JC3MI
  APT77N60JC3MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 250V 90A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 90A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN90N25L2
  仓库库存编号：IXTN90N25L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 180A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN180N20
  仓库库存编号：IXFN180N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 66A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN80N50
  仓库库存编号：IXFN80N50-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 44A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N80
  仓库库存编号：IXFN44N80-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 18W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R3K0CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU50R3K0CEBKMA1-ND
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Ta） 1.9W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXMP3A16N8TA
  仓库库存编号：ZXMP3A16N8CT-ND
  别名：ZXMP3A16N8CT
  
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 3.1W（Ta），36W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17579Q5AT
  仓库库存编号：296-41100-1-ND
  别名：296-41100-1
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 53W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R950CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU50R950CEAKMA1-ND
  别名：SP001292872
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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