产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
STP100N10F7
仓库库存编号:
497-13550-5-ND
别名:497-13550-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NF55-06
仓库库存编号:
497-2774-5-ND
别名:497-2774-5
STP80NF5506
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH13N80
仓库库存编号:
IXFH13N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 230A(Tc) 1670W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX230N20T
仓库库存编号:
IXFX230N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 24A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK24N100
仓库库存编号:
IXFK24N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 27A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN27N80
仓库库存编号:
IXFN27N80-ND
别名:468185
Q1653251
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 188A(Tc) 1070W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN210N20P
仓库库存编号:
IXFN210N20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
详细描述:底座安装 N 沟道 580A(Tc) Y3-Li
型号:
VMO580-02F
仓库库存编号:
VMO580-02F-ND
别名:Q1221985A
VMO58002F
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 300mA(Tj) 740mW(Tc) TO-92-3
型号:
TN2106N3-G
仓库库存编号:
TN2106N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 175mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
TP2104N3-G
仓库库存编号:
TP2104N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 11.2A(Ta),73A(Tc) 1.3W(Ta),54.5W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4858N-35G
仓库库存编号:
NTD4858N-35GOS-ND
别名:NTD4858N-35G-ND
NTD4858N-35GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN0106N3-G
仓库库存编号:
VN0106N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0606N3-G
仓库库存编号:
TN0606N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 250mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VP0106N3-G
仓库库存编号:
VP0106N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 230mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVP2110A
仓库库存编号:
ZVP2110A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.2A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF620PBF
仓库库存编号:
IRF620PBF-ND
别名:*IRF620PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12.8A(Tc) 65W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP13N10L
仓库库存编号:
FQP13N10L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 21A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 53W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP20N06L
仓库库存编号:
FQP20N06L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 800mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD220PBF
仓库库存编号:
IRFD220PBF-ND
别名:*IRFD220PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta),54A(Tc) 55W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP8880
仓库库存编号:
FDP8880FS-ND
别名:FDP8880-ND
FDP8880FS
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF820PBF
仓库库存编号:
IRF820PBF-ND
别名:*IRF820PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 38A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
STP45NF06
仓库库存编号:
497-3189-5-ND
别名:497-3189-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 94W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18537NKCS
仓库库存编号:
296-36456-5-ND
别名:296-36456-5
CSD18537NKCS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 33.8W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF3860T
仓库库存编号:
FDPF3860T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 430mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
TP0604N3-G
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TP0604N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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