产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 401W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN1R5-30BLEJ
仓库库存编号:
1727-1101-1-ND
别名:1727-1101-1
568-10256-1
568-10256-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4310ZTRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4310ZTRLPBFCT-ND
别名:IRFS4310ZTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R190C6
仓库库存编号:
IPB60R190C6INCT-ND
别名:IPB60R190C6INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRF1405ZLPBF
仓库库存编号:
IRF1405ZLPBF-ND
别名:*IRF1405ZLPBF
SP001570006
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),45A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB165N15NZ3 G
仓库库存编号:
BSB165N15NZ3 GCT-ND
别名:BSB165N15NZ3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRFS7730TRL7PP
仓库库存编号:
IRFS7730TRL7PPCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta) 3.6W(Ta),160W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7185TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7185TRPBFCT-ND
别名:IRFH7185TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 42A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF4905STRL
仓库库存编号:
AUIRF4905STRLCT-ND
别名:AUIRF4905STRLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 330W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRF2804STRL7PP
仓库库存编号:
IRF2804STRL7PPCT-ND
别名:IRF2804STRL7PPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRLS3034TRL7PP
仓库库存编号:
IRLS3034TRL7PPCT-ND
别名:IRLS3034TRL7PPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 23.8A(Tc) 176W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R160C6
仓库库存编号:
IPB60R160C6CT-ND
别名:IPB60R160C6CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.4A(Tc) 139W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R199CP
仓库库存编号:
IPL60R199CPCT-ND
别名:IPL60R199CPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4310TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4310TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4310TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3805STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3805STRLPBFCT-ND
别名:IRF3805STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R150CFDATMA1
仓库库存编号:
IPB65R150CFDATMA1CT-ND
别名:IPB65R150CFDATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833
仓库库存编号:
IRLR7833-ND
别名:*IRLR7833
SP001568746
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 101W(Tc) TO-252
型号:
IPD80R280P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R280P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R280P7ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB100N12S305ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N12S305ATMA1CT-ND
别名:IPB100N12S305ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 106W(Tc) PG-HSOF-8
型号:
IPT60R150G7XTMA1
仓库库存编号:
IPT60R150G7XTMA1CT-ND
别名:IPT60R150G7XTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta),180A(Tc) 3W(Ta),214W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB014N06NATMA1
仓库库存编号:
IPB014N06NATMA1CT-ND
别名:IPB014N06N-ND
IPB014N06NATMA1CT
IPB014N06NCT
IPB014N06NCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta),200A(Tc) 2.8W(Ta),100W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6794MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6794MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6794MTR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB015N04N G
仓库库存编号:
IPB015N04N GCT-ND
别名:IPB015N04N GCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 83A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB108N15N3 G
仓库库存编号:
IPB108N15N3 GCT-ND
别名:IPB108N15N3 GCT
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 135V 129A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 129A(Tc) 441W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRF135S203
仓库库存编号:
IRF135S203CT-ND
别名:IRF135S203CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB020N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB020N08N5ATMA1CT-ND
别名:IPB020N08N5ATMA1CT
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