产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD038N06N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD038N06N3GATMA1CT-ND
别名:IPD038N06N3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 74W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC360N15NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC360N15NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC360N15NS3 GCT
BSC360N15NS3 GCT-ND
BSC360N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 144W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4615TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4615TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4615TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Tc) 128W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD15P10PLGBTMA1
仓库库存编号:
SPD15P10PLGBTMA1CT-ND
别名:SPD15P10PL GCT
SPD15P10PL GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL7833STRLPBF
仓库库存编号:
IRL7833STRLPBFCT-ND
别名:IRL7833STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6678
仓库库存编号:
IRF6678CT-ND
别名:IRF6678CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S203T
仓库库存编号:
SPB100N03S203XTINCT-ND
别名:SPB100N03S203XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD12CN10NGATMA1CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 95A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC052N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC052N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC052N08NS5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPDH4N03LAG
仓库库存编号:
IPDH4N03LAGINCT-ND
别名:IPDH4N03LAGINCT
IPDH4N03LAGXTINCT
IPDH4N03LAGXTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH8307TRPBF
仓库库存编号:
IRFH8307TRPBFCT-ND
别名:IRFH8307TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 125W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRF40H210
仓库库存编号:
IRF40H210CT-ND
别名:IRF40H210CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 41A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC009NE2LS
仓库库存编号:
BSC009NE2LSCT-ND
别名:BSC009NE2LSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2L06T
仓库库存编号:
SPD50N03S2L06XTINCT-ND
别名:SPD50N03S2L06XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R420CFD
仓库库存编号:
IPB65R420CFDCT-ND
别名:IPB65R420CFDCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55.5A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN030-150B,118
仓库库存编号:
1727-4772-1-ND
别名:1727-4772-1
568-5950-1
568-5950-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ31 H3045A
仓库库存编号:
BUZ31 H3045ACT-ND
别名:BUZ31 H3045ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD04N03LB G
仓库库存编号:
IPD04N03LBGINCT-ND
别名:IPD04N03LBG
IPD04N03LBGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC100N04S51R2ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S51R2ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S51R2ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 95A(Tc) 4.3W(Ta),94W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
AUIRFN8403TR
仓库库存编号:
AUIRFN8403CT-ND
别名:AUIRFN8403CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 114A(Tc) 115W(Tc) DirectFET? Isometric ME
型号:
IRF7580MTRPBF
仓库库存编号:
IRF7580MTRPBFCT-ND
别名:IRF7580MTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC030N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC030N08NS5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 209A
详细描述:表面贴装 N 沟道 209A(Tc) 104W(Tc) DirectFET? Isometric ME
型号:
IRL7486MTRPBF
仓库库存编号:
IRL7486MTRPBFCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN015-100B,118
仓库库存编号:
1727-4771-1-ND
别名:1727-4771-1
568-5949-1
568-5949-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R1-40B,118
仓库库存编号:
1727-5252-1-ND
别名:1727-5252-1
568-6576-1
568-6576-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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