产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC011N03LSI
仓库库存编号：
BSC011N03LSICT-ND
别名：BSC011N03LSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 89.3W（Tc） 8-ThinPak（5x6）
型号：
IPL60R360P6SATMA1
仓库库存编号：
IPL60R360P6SATMA1CT-ND
别名：IPL60R360P6SATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD100N04S402ATMA1
仓库库存编号：
IPD100N04S402ATMA1CT-ND
别名：IPD100N04S402ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD15P10PGBTMA1
仓库库存编号：
SPD15P10PGBTMA1CT-ND
别名：SPD15P10PGBTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB057N06NATMA1
仓库库存编号：
IPB057N06NATMA1CT-ND
别名：IPB057N06N-ND
IPB057N06NATMA1CT
IPB057N06NCT
IPB057N06NCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1010NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF1010NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF1010NSTRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6619TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6619TR1PBFCT-ND
别名：IRF6619TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR2407TRPBF
仓库库存编号：
IRFR2407PBFCT-ND
别名：*IRFR2407TRPBF
IRFR2407PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Ta），100A（Tc） 3.7W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH8303TRPBF
仓库库存编号：
IRFH8303TRPBFCT-ND
别名：IRFH8303TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），71A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC118N10NSGATMA1
仓库库存编号：
BSC118N10NSGATMA1CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4620TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR4620TRLPBFCT-ND
别名：IRFR4620TRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3-1
型号：
SPD08N50C3ATMA1
仓库库存编号：
SPD08N50C3ATMA1CT-ND
别名：SPD08N50C3ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50N10S3L16ATMA1
仓库库存编号：
IPB50N10S3L16ATMA1CT-ND
别名：IPB50N10S3L-16INCT
IPB50N10S3L-16INCT-ND
IPB50N10S3L16ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
IRF2807ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF2807ZSTRLPBFCT-ND
别名：IRF2807ZSTRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB70N10S312ATMA1
仓库库存编号：
IPB70N10S312ATMA1CT-ND
别名：IPB70N10S3-12INCT
IPB70N10S3-12INCT-ND
IPB70N10S312ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7855TRPBF
仓库库存编号：
IRF7855TRPBFCT-ND
别名：IRF7855TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），163A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB013NE2LXI
仓库库存编号：
BSB013NE2LXICT-ND
别名：BSB013NE2LXICT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8252TRPBF
仓库库存编号：
IRF8252TRPBFCT-ND
别名：IRF8252TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），106A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF024N03LT3GXUMA1
仓库库存编号：
BSF024N03LT3GXUMA1CT-ND
别名：BSF024N03LT3 GCT
BSF024N03LT3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 29A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 150W（Tc） DPAK
型号：
PSMN063-150D,118
仓库库存编号：
1727-2164-1-ND
别名：1727-2164-1
568-11936-1
568-11936-1-ND
568-12326-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R380C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R380C6ATMA1CT-ND
别名：IPD65R380C6ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R380C6BTMA1
仓库库存编号：
IPD65R380C6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R380C6BTMA1CT
IPD65R380C6CT
IPD65R380C6CT-ND
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MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263
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IPB60R380P6ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R380P6ATMA1CT-ND
别名：IPB60R380P6ATMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3710ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF3710ZSTRLPBFCT-ND
别名：IRF3710ZSTRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC034N06NSATMA1
仓库库存编号：
BSC034N06NSATMA1CT-ND
别名：BSC034N06NSATMA1CT
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