产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC022N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSC022N04LSATMA1CT-ND
别名：BSC022N04LSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R520C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R520C6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R520C6ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC019N04NSGATMA1
仓库库存编号：
BSC019N04NSGATMA1CT-ND
别名：BSC019N04NS GCT
BSC019N04NS GCT-ND
BSC019N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6619
仓库库存编号：
IRF6619CT-ND
别名：IRF6619CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 148W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN012-80BS,118
仓库库存编号：
1727-7206-1-ND
别名：1727-7206-1
568-9697-1
568-9697-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB081N06L3 G
仓库库存编号：
IPB081N06L3 GCT-ND
别名：IPB081N06L3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
IPC100N04S51R7ATMA1
仓库库存编号：
IPC100N04S51R7ATMA1CT-ND
别名：IPC100N04S51R7ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC098N10NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC098N10NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC098N10NS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB054N06N3 G
仓库库存编号：
IPB054N06N3 GCT-ND
别名：IPB054N06N3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPDH6N03LAG
仓库库存编号：
IPDH6N03LAGINCT-ND
别名：IPDH6N03LAGINCT
IPDH6N03LAGXTINCT
IPDH6N03LAGXTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 203W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7607-55B,118
仓库库存编号：
1727-4701-1-ND
别名：1727-4701-1
568-5849-1
568-5849-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90R1K2C3BTMA1
仓库库存编号：
IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND
别名：IPD90R1K2C3BTMA1CT
IPD90R1K2C3CT
IPD90R1K2C3CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90R1K2C3ATMA1
仓库库存编号：
IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND
别名：IPD90R1K2C3ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 58A
详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
型号：
IRF60R217
仓库库存编号：
IRF60R217CT-ND
别名：IRF60R217CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta）. 40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ019N03LS
仓库库存编号：
BSZ019N03LSCT-ND
别名：BSZ019N03LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），160W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH8202TRPBF
仓库库存编号：
IRFH8202TRPBFCT-ND
别名：IRFH8202TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC016N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC016N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC016N03LS GCT
BSC016N03LS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 72A（Tc） 182W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7613-100E,118
仓库库存编号：
1727-1087-1-ND
别名：1727-1087-1
568-10240-1
568-10240-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC072N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC072N08NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC072N08NS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 150W（Tc） DPAK
型号：
PSMN130-200D,118
仓库库存编号：
1727-6296-1-ND
别名：1727-6296-1
568-8114-1
568-8114-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC014N03LS G
仓库库存编号：
BSC014N03LS GCT-ND
别名：BSC014N03LS GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN0R9-25YLDX
仓库库存编号：
1727-2494-1-ND
别名：1727-2494-1
568-12926-1
568-12926-1-ND
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRFR5410TRL
仓库库存编号：
AUIRFR5410TRLCT-ND
别名：AUIRFR5410TRLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 254W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7606-55B,118
仓库库存编号：
1727-5247-1-ND
别名：1727-5247-1
568-6571-1
568-6571-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC018N04LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC018N04LSGATMA1CT-ND
别名：BSC018N04LS GCT
BSC018N04LS GCT-ND
BSC018N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
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