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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Tc） 138W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7623-75A,118
  仓库库存编号：1727-7167-1-ND
  别名：1727-7167-1
  568-9652-1
  568-9652-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_30/40V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 100W（Tc） PG-TDSON-8-34
  
  型号：IPC100N04S51R9ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S51R9ATMA1CT-ND
  别名：IPC100N04S51R9ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3-1
  
  型号：SPD03N50C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD03N50C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD03N50C3ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD03N50C3
  仓库库存编号：SPD03N50C3INCT-ND
  别名：SPD03N50C3INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 157W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK724R5-30C,118
  仓库库存编号：1727-4698-1-ND
  别名：1727-4698-1
  568-5846-1
  568-5846-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK6207-55C,118
  仓库库存编号：1727-5501-1-ND
  别名：1727-5501-1
  568-6978-1
  568-6978-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 85A 6-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 83W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7545TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7545TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7545TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N08S2L21ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND
  别名：IPD30N08S2L-21CT
  IPD30N08S2L-21CT-ND
  IPD30N08S2L21ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0901NSI
  仓库库存编号：BSC0901NSICT-ND
  别名：BSC0901NSICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7820TRPBF
  仓库库存编号：IRF7820TRPBFCT-ND
  别名：IRF7820TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7853TRPBF
  仓库库存编号：IRF7853TRPBFCT-ND
  别名：IRF7853TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB160N04S3-H2
  仓库库存编号：IPB160N04S3H2ATMA1CT-ND
  别名：IPB160N04S3-H2CT
  IPB160N04S3-H2CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），72A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
  
  型号：IRF6626
  仓库库存编号：IRF6626CT-ND
  别名：IRF6626CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），63W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC026N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSC026N04LSATMA1CT-ND
  别名：BSC026N04LSATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9310TRPBF
  仓库库存编号：IRF9310TRPBFCT-ND
  别名：IRF9310TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ12DN20NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ12DN20NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ12DN20NS3GCT
  BSZ12DN20NS3GCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC018NE2LSI
  仓库库存编号：BSC018NE2LSICT-ND
  别名：BSC018NE2LSICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 57W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC520N15NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC520N15NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC520N15NS3 GCT
  BSC520N15NS3 GCT-ND
  BSC520N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
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  MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 66W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ240N12NS3 G
  仓库库存编号：BSZ240N12NS3 GCT-ND
  别名：BSZ240N12NS3 GCT
  
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  MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z24NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF9Z24NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF9Z24NSTRLPBFCT
  
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  MOSFET N-CH 150V 21A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD530N15N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD530N15N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD530N15N3GATMA1CT
  
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  MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ150N10LS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ150N10LS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ150N10LS3GATMA1CT
  
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  MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD053N06NATMA1
  仓库库存编号：IPD053N06NATMA1CT-ND
  别名：IPD053N06N-ND
  IPD053N06NATMA1CT
  IPD053N06NCT
  IPD053N06NCT-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3709PBF
  仓库库存编号：IRF3709PBF-ND
  别名：*IRF3709PBF
  SP001570060
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4420DYTRPBF
  仓库库存编号：SI4420DYPBFCT-ND
  别名：*SI4420DYTRPBF
  SI4420DYPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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