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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 48W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：IPZ40N04S55R4ATMA1
  仓库库存编号：IPZ40N04S55R4ATMA1CT-ND
  别名：IPZ40N04S55R4ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7413TRPBF
  仓库库存编号：IRF7413PBFCT-ND
  别名：*IRF7413TRPBF
  IRF7413PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD75N04S406ATMA1
  仓库库存编号：IPD75N04S406ATMA1CT-ND
  别名：IPD75N04S406ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 3W（Ta），110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3410TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR3410TRLPBFCT-ND
  别名：IRFR3410TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 45A
  详细描述：N 沟道 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD135N08N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD135N08N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD135N08N3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD079N06L3 G
  仓库库存编号：IPD079N06L3 GCT-ND
  别名：IPD079N06L3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 179W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R5-30YLC,115
  仓库库存编号：1727-5297-1-ND
  别名：1727-5297-1
  568-6727-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R950C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R950C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R950C6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 109W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R7-30YL,115
  仓库库存编号：1727-4162-1-ND
  别名：1727-4162-1
  568-4678-1
  568-4678-1-ND
  PSMN1R730YL115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），40A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ0902NSI
  仓库库存编号：BSZ0902NSICT-ND
  别名：BSZ0902NSICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），169A（Tc） 3.6W（Ta），96W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH8311TRPBF
  仓库库存编号：IRFH8311TRPBFCT-ND
  别名：IRFH8311TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 86W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN015-60BS,118
  仓库库存编号：1727-7207-1-ND
  别名：1727-7207-1
  568-9698-1
  568-9698-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP300H6327XUSA1
  仓库库存编号：BSP300H6327XUSA1CT-ND
  别名：BSP300H6327XUSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1TR-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1-ND
  IPD180N10N3GATMA1TR
  SP000900132
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1CT
  
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  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1DKR-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1DKR
  
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  MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 130W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3411TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3411TRPBFCT-ND
  别名：IRFR3411TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 38W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ900N15NS3 G
  仓库库存编号：BSZ900N15NS3 GCT-ND
  别名：BSZ900N15NS3 GCT
  
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  MOSFET N-CH 100V 15A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），80A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7191TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7191TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7191TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 57W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R500CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R500CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD50R500CEIN
  IPD50R500CEIN-ND
  IPD50R500CEINCT
  IPD50R500CEINCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 50W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ110N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSZ110N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSZ110N08NS5ATMA1CT
  
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  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR2905ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR2905ZPBFCT-ND
  别名：*IRFR2905ZTRPBF
  IRFR2905ZPBFCT
  
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  MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 33.8W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ42DN25NS3 G
  仓库库存编号：BSZ42DN25NS3 GCT-ND
  别名：BSZ42DN25NS3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 34W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ22DN20NS3 G
  仓库库存编号：BSZ22DN20NS3GCT-ND
  别名：BSZ22DN20NS3GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_100+
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD35N12S3L24ATMA1
  仓库库存编号：IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND
  别名：IPD35N12S3L24ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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