产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 105W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y07-30B,115
仓库库存编号：
1727-4600-1-ND
别名：1727-4600-1
568-5510-1
568-5510-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Tc） 1.65W（Ta） SOT-223
型号：
BSP250,115
仓库库存编号：
1727-4930-1-ND
别名：1727-4930-1
568-6222-1
568-6222-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20.3A（Tc） 62W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7675-55A,118
仓库库存编号：
1727-7174-1-ND
别名：1727-7174-1
568-9659-1
568-9659-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），93A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC042N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC042N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC042N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC042N03MSGINCT
BSC042N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4410DYTRPBF
仓库库存编号：
SI4410DYPBFCT-ND
别名：*SI4410DYTRPBF
SI4410DYPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO051N03MS G
仓库库存编号：
BSO051N03MS GINCT-ND
别名：BSO051N03MS GINCT
BSO051N03MSG
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），36W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ100N06NSATMA1
仓库库存编号：
BSZ100N06NSATMA1CT-ND
别名：BSZ100N06NSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R800CE
仓库库存编号：
IPD50R800CECT-ND
别名：IPD50R800CECT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD50N03S2L06GBTMA1
仓库库存编号：
SPD50N03S2L06GBTMA1CT-ND
别名：SPD50N03S2L-06 GCT
SPD50N03S2L-06 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7326D2TRPBF
仓库库存编号：
IRF7326D2TRPBFCT-ND
别名：IRF7326D2TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL4105TRPBF
仓库库存编号：
IRFL4105TRPBFCT-ND
别名：IRFL4105TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7811AVTRPBF
仓库库存编号：
IRF7811AVPBFCT-ND
别名：*IRF7811AVTRPBF
IRF7811AVPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），48W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ050N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ050N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSZ050N03MSGINCT
BSZ050N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 500V 14.1A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.1A（Tc） 98W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R380CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD50R380CEAUMA1CT-ND
别名：IPD50R380CEAUMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO083N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO083N03MSGXUMA1CT-ND
别名：BSO083N03MS GINCT
BSO083N03MS GINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta），18A（Tc） 2.1W（Ta），37W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0904NSI
仓库库存编号：
BSZ0904NSICT-ND
别名：BSZ0904NSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.9A（Tc） 98W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R380CEATMA1
仓库库存编号：
IPD50R380CEATMA1CT-ND
别名：IPD50R380CEATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90N04S404ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N04S404ATMA1CT-ND
别名：IPD90N04S404ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 550mA（Ta） 1.5W（Ta） SOT-223
型号：
BSP122,115
仓库库存编号：
1727-5406-1-ND
别名：1727-5406-1
568-6849-1
568-6849-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD33CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPD33CN10NGATMA1CT-ND
别名：IPD33CN10NGATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB47N10S-33
仓库库存编号：
IPB47N10S33ATMA1CT-ND
别名：IPB47N10S-33CT
IPB47N10S-33CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），27W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0506NSATMA1
仓库库存编号：
BSZ0506NSATMA1CT-ND
别名：BSZ0506NSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD50N03S2L06ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND
别名：IPD50N03S2L06ATMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.44A（Ta） 2.5W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO613SPV G
仓库库存编号：
BSO613SPV GCT-ND
别名：BSO613SPV GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），37W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ036NE2LS
仓库库存编号：
BSZ036NE2LSCT-ND
别名：BSZ036NE2LSCT
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