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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD26N06S2L35ATMA2
  仓库库存编号：IPD26N06S2L35ATMA2CT-ND
  别名：IPD26N06S2L35ATMA2CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7526D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7526D1TRPBFCT-ND
  别名：IRF7526D1TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Tc） 69W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R650CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R650CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R650CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ060NE2LS
  仓库库存编号：BSZ060NE2LSCT-ND
  别名：BSZ060NE2LSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP322PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP322PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP322PH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 95W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y38-100EX
  仓库库存编号：1727-1111-1-ND
  别名：1727-1111-1
  568-10266-1
  568-10266-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP125H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP125H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP125H6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R950CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R950CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R950CEAUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 46W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD50N04S408ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N04S408ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N04S408ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 91W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN3R0-30YLDX
  仓库库存编号：1727-1796-1-ND
  别名：1727-1796-1
  568-11379-1
  568-11379-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 85W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y10-30B,115
  仓库库存编号：1727-4602-1-ND
  别名：1727-4602-1
  568-5512-1
  568-5512-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8736TRPBF
  仓库库存编号：IRF8736TRPBFCT-ND
  别名：IRF8736TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD075N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD075N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD075N03LGINCT
  IPD075N03LGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD350N06LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD350N06LGBTMA1CT-ND
  别名：IPD350N06LGBTMA1CT
  
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  MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD78CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPD78CN10NGATMA1CT-ND
  别名：IPD78CN10NGATMA1CT
  
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  MOSFET N-CH 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 34W（Tc） PG-TSDSON-8-32
  
  型号：IPZ40N04S58R4ATMA1
  仓库库存编号：IPZ40N04S58R4ATMA1CT-ND
  别名：IPZ40N04S58R4ATMA1CT
  
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  MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ110N06NS3 G
  仓库库存编号：BSZ110N06NS3GINCT-ND
  别名：BSZ110N06NS3GINCT
  
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  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD060N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD060N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD060N03LGINCT
  IPD060N03LGINCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ088N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ088N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ088N03MSGINCT
  BSZ088N03MSGINCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR220NTRPBF
  仓库库存编号：IRFR220NTRPBFCT-ND
  别名：*IRFR220NTRPBF
  IRFR220NPBFCT
  IRFR220NPBFCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R1K4C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K4C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K4C6ATMA1CT
  
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  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），45W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ058N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ058N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ058N03MSGINCT
  BSZ058N03MSGINCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），71A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC057N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC057N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC057N03LSGINCT
  BSC057N03LSGINCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7821TRPBF
  仓库库存编号：IRF7821PBFCT-ND
  别名：*IRF7821TRPBF
  IRF7821PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7403TRPBF
  仓库库存编号：IRF7403PBFCT-ND
  别名：*IRF7403TRPBF
  IRF7403PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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