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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7606TRPBF
  仓库库存编号：IRF7606TRPBFCT-ND
  别名：IRF7606TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 2.8W（Ta），37W（Tc）
  
  型号：IRFHM8326TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM8326TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM8326TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 62W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M27-80EX
  仓库库存编号：1727-2561-1-ND
  别名：1727-2561-1
  568-13005-1
  568-13005-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R1K4CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R1K4CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R1K4CEAUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 700mA（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF6217TRPBF
  仓库库存编号：IRF6217TRPBFCT-ND
  别名：IRF6217TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），35A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ130N03MS G
  仓库库存编号：BSZ130N03MSGINCT-ND
  别名：BSZ130N03MSGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），65A（Tc） 2.5W（Ta），39W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC886N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC886N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC886N03LS GCT
  BSC886N03LS GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R800CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R800CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R800CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD30N03S2L20ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N03S2L20ATMA1CT-ND
  别名：IPD30N03S2L20ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD60R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND
  别名：IPD60R1K5CEAUMA1-ND
  IPD60R1K5CEAUMA1TR
  SP001396902
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD60R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K5CEAUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD60R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEAUMA1DKR-ND
  别名：IPD60R1K5CEAUMA1DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V LFPAK56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 95W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN025-80YLX
  仓库库存编号：1727-2594-1-ND
  别名：1727-2594-1
  568-13045-1
  568-13045-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7201TRPBF
  仓库库存编号：IRF7201PBFCT-ND
  别名：*IRF7201TRPBF
  IRF7201PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 36W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK72150-55A,118
  仓库库存编号：1727-7151-1-ND
  别名：1727-7151-1
  568-9634-1
  568-9634-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 3W（Ta），30W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：IRFHM8235TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM8235TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM8235TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 39.5A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 39.5A（Tc） 59W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y20-30B,115
  仓库库存编号：1727-4607-1-ND
  别名：1727-4607-1
  568-5517-1
  568-5517-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R1K0CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K0CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K0CEATMA1CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD220N06L3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD220N06L3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD220N06L3GBTMA1CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9333TRPBF
  仓库库存编号：IRF9333TRPBFCT-ND
  别名：IRF9333TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_55/60V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD15N06S2L64ATMA2
  仓库库存编号：IPD15N06S2L64ATMA2CT-ND
  别名：IPD15N06S2L64ATMA2CT
  
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 79W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M9R9-60EX
  仓库库存编号：1727-2566-1-ND
  别名：1727-2566-1
  568-13010-1
  568-13010-1-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），90A（Tc） 3.6W（Ta），54W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH8324TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH8324TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH8324TR2PBFCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ100N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ100N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ100N03LSGINCT
  BSZ100N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ100N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ100N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ100N03MSGINCT
  BSZ100N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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