产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9200pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),272W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110P06-08L-E3
仓库库存编号:
SUM110P06-08L-E3CT-ND
别名:SUM110P06-08L-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9200pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 36A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN36N100
仓库库存编号:
IXFN36N100-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Ta) 380W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3004TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS3004TRLPBFCT-ND
别名:IRFS3004TRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3004PBF
仓库库存编号:
IRFB3004PBF-ND
别名:SP001572420
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9200pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 90A(Tc) 2.4W(Ta),250W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP90P06-09L-E3
仓库库存编号:
SUP90P06-09L-E3-ND
别名:SUP90P0609LE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9200pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN003-30P,127
仓库库存编号:
PSMN003-30P,127-ND
别名:934056787127
PSMN003-30P
PSMN003-30P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9200pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 30A(Tc) 550W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL34N100
仓库库存编号:
IXFL34N100-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9200pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 34A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN34N100
仓库库存编号:
IXFN34N100-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9200pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 39A(Tc) 694W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN39N90
仓库库存编号:
IXFN39N90-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 195A(Tc) 380W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFS3004TRL
仓库库存编号:
AUIRFS3004TRL-ND
别名:SP001517570
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9200pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN003-30B,118
仓库库存编号:
PSMN003-30B,118-ND
别名:934056788118
PSMN003-30B /T3
PSMN003-30B /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 195A(Ta) 380W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3004PBF
仓库库存编号:
IRFSL3004PBF-ND
别名:SP001578466
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3004GPBF
仓库库存编号:
IRFB3004GPBF-ND
别名:SP001563908
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9200pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 195A(Tc) 380W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFS3004
仓库库存编号:
AUIRFS3004-ND
别名:SP001522180
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9200pF @ 25V,
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