产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH58N20
仓库库存编号:
IXFH58N20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 58A TO-247-4
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 330W(Tc) TO-247-4L
型号:
STW69N65M5-4
仓库库存编号:
497-14039-5-ND
别名:497-14039-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 58A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT50M65JFLL
仓库库存编号:
APT50M65JFLL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 58A
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ858AEP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ858AEP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ858AEP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 55W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8729TRPBF
仓库库存编号:
IRLR8729TRPBFCT-ND
别名:IRLR8729TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 3.6W(Ta),31.2W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA14DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA14DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA14DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 79W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW69N65M5
仓库库存编号:
497-12977-5-ND
别名:497-12977-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 58A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 330W(Tc) TO-247
型号:
STW69N65M5
仓库库存编号:
497-12987-5-ND
别名:497-12987-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 730W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APL502LG
仓库库存编号:
APL502LG-ND
别名:APL502LGMI
APL502LGMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 58A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 58A(Tc) 85W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y13-40B,115
仓库库存编号:
1727-4938-1-ND
别名:1727-4938-1
568-6232-1
568-6232-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 4.6W(Ta),46W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7884BDP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7884BDP-T1-E3CT-ND
别名:SI7884BDP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 58A
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 83W(Tc) D-Pak
型号:
IRF60R217
仓库库存编号:
IRF60R217CT-ND
别名:IRF60R217CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 58A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT50M65JLL
仓库库存编号:
APT50M65JLL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 58A(Tc) 595W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT60M75JFLL
仓库库存编号:
APT60M75JFLL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 58A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 167W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP6412ANG
仓库库存编号:
NTP6412ANGOS-ND
别名:NTP6412ANG-ND
NTP6412ANGOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 58A(Tc) 543W(Tc) SOT-227
型号:
APT58M50JU2
仓库库存编号:
APT58M50JU2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 96W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E13-60E,127
仓库库存编号:
1727-7240-ND
别名:1727-7240
568-9847-5
568-9847-5-ND
934066633127
BUK7E1360E127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 94W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP126N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP126N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP126N10N3 G
IPP126N10N3 G-ND
SP000683088
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 96W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7613-60E,118
仓库库存编号:
1727-7250-1-ND
别名:1727-7250-1
568-9879-1
568-9879-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB123N10N3 G
仓库库存编号:
IPB123N10N3 GCT-ND
别名:IPB123N10N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 4.6W(Ta),46W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7884BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7884BDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7884BDP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 58A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK58A06N1,S4X
仓库库存编号:
TK58A06N1S4X-ND
别名:TK58A06N1,S4X(S
TK58A06N1,S4X-ND
TK58A06N1S4X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 58A(Tc) 167W(Tc) D2PAK-3
型号:
NVB6412ANT4G
仓库库存编号:
NVB6412ANT4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 200V 58A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH58N20Q
仓库库存编号:
IXFH58N20Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 58A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT58N20Q
仓库库存编号:
IXFT58N20Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 58A(Tc),
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