产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRFL9014TRPBF
仓库库存编号：
IRFL9014PBFCT-ND
别名：*IRFL9014TRPBF
IRFL9014PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9310TRPBF
仓库库存编号：
IRFR9310TRPBFCT-ND
别名：*IRFR9310TRPBF
IRFR9310PBFCT
IRFR9310PBFCT-ND
IRFR9310TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 1.8A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9310PBF
仓库库存编号：
IRFU9310PBF-ND
别名：*IRFU9310PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 1.8A（Tc） 20W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9610PBF
仓库库存编号：
IRF9610PBF-ND
别名：*IRF9610PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 1.8A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBE20PBF
仓库库存编号：
IRFBE20PBF-ND
别名：*IRFBE20PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU02N60C3BKMA1
仓库库存编号：
SPU02N60C3BKMA1-ND
别名：Q67040S4659
SP000015064
SPU02N60C3
SPU02N60C3-ND
SPU02N60C3X
SPU02N60C3XK
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Tc） 3W（Ta），20W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9610SPBF
仓库库存编号：
IRF9610SPBF-ND
别名：IRF9610SPBFCT
IRF9610SPBFCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1.8A（Tc） 27W（Tc） I-Pak
型号：
STU3N45K3
仓库库存编号：
497-12362-ND
别名：497-12362
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Tc） 3.3W（Ta） SOT-223
型号：
STN3N40K3
仓库库存编号：
497-11222-1-ND
别名：497-11222-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB02N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB02N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB02N60S5INCT
SPB02N60S5INCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD2N80TM
仓库库存编号：
FQD2N80TMCT-ND
别名：FQD2N80TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
CFET 3A / 500V
详细描述：通孔 N 沟道 1.8A（Tc） 62W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP3N50C_F080
仓库库存编号：
FQP3N50C_F080-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.8A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
型号：
STN2NE10L
仓库库存编号：
STN2NE10L-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 200V 1.8A（Tc） 20W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9610
仓库库存编号：
IRF9610-ND
别名：*IRF9610
IRF9611
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.8A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBE20
仓库库存编号：
IRFBE20-ND
别名：*IRFBE20
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 1.8A（Tc） 3W（Ta），20W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9610S
仓库库存编号：
IRF9610S-ND
别名：*IRF9610S
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.8A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRFL9014
仓库库存编号：
IRFL9014-ND
别名：*IRFL9014
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.8A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRFL9014TR
仓库库存编号：
IRFL9014TR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9310
仓库库存编号：
IRFR9310-ND
别名：*IRFR9310
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9310TR
仓库库存编号：
IRFR9310TR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9310
仓库库存编号：
IRFU9310-ND
别名：*IRFU9310
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 200V 1.8A（Tc） I2PAK
型号：
IRF9610L
仓库库存编号：
IRF9610L-ND
别名：*IRF9610L
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 1.8A（Tc） 3W（Ta），20W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9610STRL
仓库库存编号：
IRF9610STRL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 1.8A（Tc） 3W（Ta），20W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9610STRR
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IRF9610STRR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.8A（Tc） I2PAK
型号：
IRFBE20L
仓库库存编号：
IRFBE20L-ND
别名：*IRFBE20L
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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