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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7317DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7317DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7317DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.8nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 1.6W（Ta），24W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH8R903NL,LQ
  仓库库存编号：TPH8R903NLLQCT-ND
  别名：TPH8R903NLLQCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.8nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 1W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TP89R103NL,LQ
  仓库库存编号：TP89R103NLLQCT-ND
  别名：TP89R103NLLQCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.8nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD6N65M2
  仓库库存编号：497-15049-1-ND
  别名：497-15049-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.8nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU6N65M2
  仓库库存编号：497-15044-5-ND
  别名：497-15044-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.8nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF6N65M2
  仓库库存编号：497-15035-5-ND
  别名：497-15035-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.8nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB6N65M2
  仓库库存编号：497-15047-1-ND
  别名：497-15047-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.8nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 16A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 45W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y72-80EX
  仓库库存编号：1727-1894-1-ND
  别名：1727-1894-1
  568-11627-1
  568-11627-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.8nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP6N65M2
  仓库库存编号：497-15040-5-ND
  别名：497-15040-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.8nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Ta） 1W（Ta），19W（Tc） IPAK/TP
  
  型号：SFT1443-W
  仓库库存编号：SFT1443-W-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.8nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 9A TP-FA DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1W（Ta），19W（Tc） DPAK/TP-FA
  
  型号：SFT1443-TL-W
  仓库库存编号：SFT1443-TL-W-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.8nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 70W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY3N60P
  仓库库存编号：IXTY3N60P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.8nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP3N60P
  仓库库存编号：IXTP3N60P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.8nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 70W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA3N60P
  仓库库存编号：IXTA3N60P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.8nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 9A TP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 9A（Ta） 1W（Ta），19W（Tc） TP
  
  型号：SFT1443-H
  仓库库存编号：SFT1443-H-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.8nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 9A TP-FA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9A（Ta） 1W（Ta），19W（Tc） DPAK/TP-FA
  
  型号：SFT1443-TL-H
  仓库库存编号：SFT1443-TL-HOSCT-ND
  别名：SFT1443-TL-HOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.8nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 12.9A SOT186A
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 12.9A（Tc） 23W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX20N06T,127
  仓库库存编号：PHX20N06T,127-ND
  别名：934057814127
  PHX20N06T
  PHX20N06T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.8nC @ 10V,
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