产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），46W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS5C673NLTAG
仓库库存编号：
NTTFS5C673NLTAGOSCT-ND
别名：NTTFS5C673NLTAGOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 60W（Tc） DPAK
型号：
STD3N80K5
仓库库存编号：
497-14267-1-ND
别名：497-14267-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
STU2N80K5
仓库库存编号：
497-15022-5-ND
别名：497-15022-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
型号：
SIB408DK-T1-GE3
仓库库存编号：
SIB408DK-T1-GE3CT-ND
别名：SIB408DK-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 600V 400mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
型号：
STQ1HN60K3-AP
仓库库存编号：
497-13784-1-ND
别名：497-13784-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.2A（Tc） 27W（Tc） I-Pak
型号：
STU1HN60K3
仓库库存编号：
497-13787-5-ND
别名：497-13787-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Tc） 27W（Tc） DPAK
型号：
STD1HN60K3
仓库库存编号：
497-13748-1-ND
别名：497-13748-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33
详细描述：表面贴装 N 沟道 31.8A（Tc） 33W（Tc） LFPAK33
型号：
PSMN020-30MLCX
仓库库存编号：
1727-7276-1-ND
别名：1727-7276-1
568-9906-1
568-9906-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
型号：
STU3N80K5
仓库库存编号：
497-14223-5-ND
别名：497-14223-5
STU3N80K5-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 60W（Tc） TO-220
型号：
STP3N80K5
仓库库存编号：
497-14281-5-ND
别名：497-14281-5
STP3N80K5-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 45V 2A TSMT
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 540mW（Ta） TSMT3
型号：
RQ5H020SPTL
仓库库存编号：
RQ5H020SPTLCT-ND
别名：RQ5H020SPTLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB02N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB02N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB02N60S5INCT
SPB02N60S5INCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 650mA（Ta），2.2A（Tc） 2W（Ta），22W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
型号：
STL3NM60N
仓库库存编号：
497-13351-1-ND
别名：497-13351-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
型号：
STF3N80K5
仓库库存编号：
497-14272-5-ND
别名：497-14272-5
STF3N80K5-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 1.7W（Tc） SOT-23
型号：
TSM850N06CX RFG
仓库库存编号：
TSM850N06CX RFGTR-ND
别名：TSM850N06CX RFGTR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 1.7W（Tc） SOT-23
型号：
TSM850N06CX RFG
仓库库存编号：
TSM850N06CX RFGCT-ND
别名：TSM850N06CX RFGCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 1.7W（Tc） SOT-23
型号：
TSM850N06CX RFG
仓库库存编号：
TSM850N06CX RFGDKR-ND
别名：TSM850N06CX RFGDKR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM2N60ECP ROG
仓库库存编号：
TSM2N60ECP ROGTR-ND
别名：TSM2N60ECP ROGTR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM2N60ECP ROG
仓库库存编号：
TSM2N60ECP ROGCT-ND
别名：TSM2N60ECP ROGCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM2N60ECP ROG
仓库库存编号：
TSM2N60ECP ROGDKR-ND
别名：TSM2N60ECP ROGDKR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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ON Semiconductor
TRENCH 6 60V FET
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 46W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C673NLWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C673NLWFAFT1GOSCT-ND
别名：NVMFS5C673NLWFAFT1GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 50W（Tc） DPAK
型号：
STD3NM60N
仓库库存编号：
497-13089-1-ND
别名：497-13089-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM2N60ECH C5G
仓库库存编号：
TSM2N60ECH C5G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
型号：
TPC8067-H,LQ(S
仓库库存编号：
TPC8067-HLQ(S-ND
别名：TPC8067-HLQ(S
TPC8067HLQS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta），46W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C673NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C673NLT3G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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