以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMN6A08GTA
  仓库库存编号：ZXMN6A08GCT-ND
  别名：ZXMN6A08GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.8nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
  
  型号：RF4E080GNTR
  仓库库存编号：RF4E080GNTRCT-ND
  别名：RF4E080GNTRCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.8nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS225H6327FTSA1
  仓库库存编号：BSS225H6327FTSA1CT-ND
  别名：BSS225H6327FTSA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.8nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.36A（Ta） 2.12W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMN6A08KTC
  仓库库存编号：ZXMN6A08KTCCT-ND
  别名：ZXMN6A08KTCCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.8nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 2W（Ta），15W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E080GNTB
  仓库库存编号：RQ3E080GNTBCT-ND
  别名：RQ3E080GNTBCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.8nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
  
  型号：ZXMN6A08E6TA
  仓库库存编号：ZXMN6A08E6CT-ND
  别名：ZXMN6A08E6CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.8nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA86251
  仓库库存编号：FDMA86251CT-ND
  别名：FDMA86251CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.8nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
  
  型号：ZXMN6A08E6QTA
  仓库库存编号：ZXMN6A08E6QTADICT-ND
  别名：ZXMN6A08E6QTADICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.8nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 18W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R3K3P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R3K3P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R3K3P7ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.8nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.9A（Tc） 18W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R3K3P7AKMA1
  仓库库存编号：IPU80R3K3P7AKMA1-ND
  别名：SP001636448
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.8nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 90mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS225H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS225H6327XTSA1-ND
  别名：SP001195032
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.8nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10.3A（Tc） 33W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD3055E,118
  仓库库存编号：PHD3055E,118-ND
  别名：934054728118
  PHD3055E /T3
  PHD3055E /T3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.8nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 10.3A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 10.3A（Tc） 33W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP3055E,127
  仓库库存编号：PHP3055E,127-ND
  别名：934050050127
  PHP3055E
  PHP3055E-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.8nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 90mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS225
  仓库库存编号：BSS225-ND
  别名：BSS225T
  SP000017502
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.8nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 90mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS225L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS225L6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS225 L6327
  BSS225 L6327-ND
  BSS225L6327XT
  SP000095776
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.8nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索