产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2329DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2329DS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2329DS-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGS3136PT1G
仓库库存编号：
NTGS3136PT1GOSCT-ND
别名：NTGS3136PT1GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.4A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA910PZ
仓库库存编号：
FDMA910PZCT-ND
别名：FDMA910PZCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 8PDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.2W（Ta） 8-PDFN（5x6）
型号：
MCP87022T-U/MF
仓库库存编号：
MCP87022T-U/MFCT-ND
别名：MCP87022T-U/MFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
STD150N3LLH6
仓库库存编号：
497-8889-1-ND
别名：497-8889-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16401Q5
仓库库存编号：
296-24525-1-ND
别名：296-24525-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16415Q5
仓库库存编号：
296-30139-1-ND
别名：296-30139-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD079N06L3 G
仓库库存编号：
IPD079N06L3 GCT-ND
别名：IPD079N06L3 GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），72A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
IRF6626
仓库库存编号：
IRF6626CT-ND
别名：IRF6626CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB081N06L3 G
仓库库存编号：
IPB081N06L3 GCT-ND
别名：IPB081N06L3 GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 700mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NTLUS3A40PZTAG
仓库库存编号：
NTLUS3A40PZTAGOSCT-ND
别名：NTLUS3A40PZTAGOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.7A（Ta），55A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
IRF6614TRPBF
仓库库存编号：
IRF6614TRPBFCT-ND
别名：IRF6614TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 14A ECH8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.6W（Ta） 8-ECH
型号：
ECH8420-TL-H
仓库库存编号：
ECH8420-TL-H-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 35A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0652DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0652DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0652DPB-00#J5-ND
RJK0652DPB-00#J5TR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
型号：
RJK1052DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK1052DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK1052DPB-00#J5-ND
RJK1052DPB-00#J5TR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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Texas Instruments
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16401Q5T
仓库库存编号：
CSD16401Q5T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16415Q5T
仓库库存编号：
CSD16415Q5T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP084N06L3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP084N06L3GXKSA1-ND
别名：IPP084N06L3 G
IPP084N06L3 G-ND
SP000680838
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI084N06L3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI084N06L3GXKSA1-ND
别名：SP001065242
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 115W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL8114PBF
仓库库存编号：
IRL8114PBF-ND
别名：64-0104PBF
64-0104PBF-ND
SP001550392
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 85A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
NTB85N03T4
仓库库存编号：
NTB85N03T4OSCT-ND
别名：NTB85N03T4OSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 28V 85A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP85N03
仓库库存编号：
NTP85N03OS-ND
别名：NTP85N03OS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 24V 90A（Ta） 85W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP90N02
仓库库存编号：
NTP90N02OS-ND
别名：NTP90N02OS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 90A（Ta） 85W（Tc） D2PAK
型号：
NTB90N02T4
仓库库存编号：
NTB90N02T4OSCT-ND
别名：NTB90N02T4OSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 85A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
NTB85N03T4G
仓库库存编号：
NTB85N03T4GOS-ND
别名：NTB85N03T4GOS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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