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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 20A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 170W（Tc） TO-220
  
  型号：STP28N65M2
  仓库库存编号：497-15559-5-ND
  别名：497-15559-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.8A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23
  
  型号：SI2371EDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2371EDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2371EDS-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 4.8W（Ta），41.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR424DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR424DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR424DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 20A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 170W（Tc） TO-247
  
  型号：STW28N65M2
  仓库库存编号：497-15575-5-ND
  别名：497-15575-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC050N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC050N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC050N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC050N03LSGINCT
  BSC050N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD122N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD122N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD122N10N3GATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 63A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC109N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC109N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC109N10NS3 GCT
  BSC109N10NS3 GCT-ND
  BSC109N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.5A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4884BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4884BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4884BDY-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z34NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF9Z34NSTRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 19A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z34NPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34NPBF-ND
  别名：*IRF9Z34NPBF
  SP001560182
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF28N65M2
  仓库库存编号：497-15534-5-ND
  别名：497-15534-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ050N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ050N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ050N03LSGINCT
  BSZ050N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS3590
  仓库库存编号：FDS3590CT-ND
  别名：FDS3590CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF630NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF630NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF630NSTRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9.3A（Tc） 82W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF630NPBF
  仓库库存编号：IRF630NPBF-ND
  别名：*IRF630NPBF
  SP001564792
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R250CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R250CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R250CP
  IPP60R250CPAKSA1
  IPP60R250CPIN
  IPP60R250CPIN-ND
  IPP60R250CPXK
  SP000358136
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 13.7A（Ta） 130W（Tc） TO-247
  
  型号：TK14N65W,S1F
  仓库库存编号：TK14N65WS1F-ND
  别名：TK14N65W,S1F(S
  TK14N65W,S1F-ND
  TK14N65WS1F
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 20A
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFU28N65M2
  仓库库存编号：497-16307-5-ND
  别名：497-16307-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 101W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R125C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R125C7XKSA1-ND
  别名：SP001080132
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 12A SC-70
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA441DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA441DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA441DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 16A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQS484ENW-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS484ENW-T1_GE3CT-ND
  别名：SQS484ENW-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 46A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 46A（Tc） 55W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA94EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA94EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA94EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7208-40B,118
  仓库库存编号：1727-5245-1-ND
  别名：1727-5245-1
  568-6569-1
  568-6569-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7210-55B,118
  仓库库存编号：1727-4695-1-ND
  别名：1727-4695-1
  568-5843-1
  568-5843-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7212-55B,118
  仓库库存编号：1727-5246-1-ND
  别名：1727-5246-1
  568-6570-1
  568-6570-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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