产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
型号：
STB37N60DM2AG
仓库库存编号：
497-16105-1-ND
别名：497-16105-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 26A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 26A（Tc） 2.5W（Ta），60W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD409
仓库库存编号：
785-1103-1-ND
别名：785-1103-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） TO-247-3
型号：
STW20NM60
仓库库存编号：
497-3263-5-ND
别名：497-3263-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIJ478DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIJ478DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIJ478DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF35N60DM2
仓库库存编号：
497-16358-5-ND
别名：497-16358-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 210W（Tc） TO-220
型号：
STP35N60DM2
仓库库存编号：
497-16359-5-ND
别名：497-16359-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 210W（Tc） TO-247
型号：
STW37N60DM2AG
仓库库存编号：
497-16103-5-ND
别名：497-16103-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 210W（Tc） TO-247
型号：
STW35N60DM2
仓库库存编号：
497-16356-5-ND
别名：497-16356-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 51A（Tc） 117W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN016-100YS,115
仓库库存编号：
1727-4625-1-ND
别名：1727-4625-1
568-5579-1
568-5579-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXFH）
型号：
IXFH12N50F
仓库库存编号：
IXFH12N50F-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 6A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-268（IXFT）
型号：
IXFT6N100F
仓库库存编号：
IXFT6N100F-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 2.8W（Ta），63W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
型号：
CSD17581Q3AT
仓库库存编号：
296-45025-1-ND
别名：296-45025-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 65A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 100W（Tj） Power56
型号：
FDMS86569_F085
仓库库存编号：
FDMS86569_F085CT-ND
别名：FDMS86569_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 25.4A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
型号：
SI4160DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4160DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4160DY-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
STD95N4F3
仓库库存编号：
497-6024-1-ND
别名：497-6024-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
型号：
STB35N60DM2
仓库库存编号：
497-16357-1-ND
别名：497-16357-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 3.6W（Ta），160W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH7185TRPBF
仓库库存编号：
IRFH7185TRPBFCT-ND
别名：IRFH7185TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 90A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 180W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA90N075T2
仓库库存编号：
IXTA90N075T2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 32A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 500W（Tc） TO-220-3
型号：
IXTP32N65X
仓库库存编号：
IXTP32N65X-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 14A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 78W（Tc） TO-220-3
型号：
IXTP32N65XM
仓库库存编号：
IXTP32N65XM-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 32A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 500W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH32N65X
仓库库存编号：
IXTH32N65X-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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Texas Instruments
30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），123A（Tc） 3.1W（Ta）, 83W（Tc） 8-VSONP（5x6）
型号：
CSD17581Q5AT
仓库库存编号：
296-44867-1-ND
别名：296-44867-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
STP95N4F3
仓库库存编号：
497-7536-5-ND
别名：497-7536-5
STP95N4F3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 6A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXFH）
型号：
IXFH6N100F
仓库库存编号：
IXFH6N100F-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
型号：
GP1M020A050N
仓库库存编号：
1560-1191-5-ND
别名：1560-1191-1
1560-1191-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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