产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD25NF20
仓库库存编号：
497-13749-1-ND
别名：497-13749-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 12A 8DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta），35A（Tc） 3.1W（Ta），29W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7401
仓库库存编号：
785-1302-1-ND
别名：785-1302-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF20NF20
仓库库存编号：
497-5811-5-ND
别名：497-5811-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4407A
仓库库存编号：
785-1022-1-ND
别名：785-1022-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 106W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN2R2-25YLC,115
仓库库存编号：
1727-5299-1-ND
别名：1727-5299-1
568-6729-1
568-6729-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ018NE2LS
仓库库存编号：
BSZ018NE2LSCT-ND
别名：BSZ018NE2LSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 18A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z30PBF
仓库库存编号：
IRF9Z30PBF-ND
别名：*IRF9Z30PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC014NE2LSI
仓库库存编号：
BSC014NE2LSICT-ND
别名：BSC014NE2LSICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7450TRPBF
仓库库存编号：
IRF7450PBFCT-ND
别名：*IRF7450TRPBF
IRF7450PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI840GLCPBF
仓库库存编号：
IRFI840GLCPBF-ND
别名：*IRFI840GLCPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF740LCPBF
仓库库存编号：
IRF740LCPBF-ND
别名：*IRF740LCPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA4N100Q-TRL
仓库库存编号：
IXFA4N100Q-TRLCT-ND
别名：IXFA4N100Q-TRLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STP12NM50FP
仓库库存编号：
497-2665-5-ND
别名：497-2665-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBC40LCPBF
仓库库存编号：
IRFBC40LCPBF-ND
别名：*IRFBC40LCPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 106W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN2R6-30YLC,115
仓库库存编号：
1727-5300-1-ND
别名：1727-5300-1
568-6730-1
568-6730-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 16A（Tc） 62W（Tc）
型号：
SQS484EN-T1_GE3
仓库库存编号：
SQS484EN-T1_GE3CT-ND
别名：SQS484EN-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 147W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y4R4-40EX
仓库库存编号：
1727-1113-1-ND
别名：1727-1113-1
568-10268-1
568-10268-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 17.5A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Ta），26A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS7678
仓库库存编号：
FDMS7678CT-ND
别名：FDMS7678CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 3.8W（Ta），60W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD3690
仓库库存编号：
FDD3690CT-ND
别名：FDD3690CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta），35A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP42AN15A0
仓库库存编号：
FDP42AN15A0FS-ND
别名：FDP42AN15A0-ND
FDP42AN15A0FS
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB12NM50T4
仓库库存编号：
497-5381-1-ND
别名：497-5381-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-263
型号：
IXFA3N120TRL
仓库库存编号：
IXFA3N120TRLCT-ND
别名：IXFA3N120TRLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 2.8W（Ta），37W（Tc）
型号：
IRFHM8326TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8326TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8326TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 15A
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），80A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH7191TRPBF
仓库库存编号：
IRFH7191TRPBFCT-ND
别名：IRFH7191TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD35N12S3L24ATMA1
仓库库存编号：
IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND
别名：IPD35N12S3L24ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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