产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28.1A（Tc） 74W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN039-100YS,115
仓库库存编号：
1727-4629-1-ND
别名：1727-4629-1
568-5586-1
568-5586-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS438DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS438DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS438DN-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK33
详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 91W（Tc） LFPAK33
型号：
PSMN011-60MSX
仓库库存编号：
1727-1506-1-ND
别名：1727-1506-1
568-10986-1
568-10986-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.1A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD3P50TM
仓库库存编号：
FQD3P50TMCT-ND
别名：FQD3P50TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 2.7A（Tc） 85W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP3P50
仓库库存编号：
FQP3P50-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Tc） 1.9W（Ta），6.5W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 双
型号：
SIA817EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA817EDJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA817EDJ-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 1.6W（Ta），34W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH11006NL,LQ
仓库库存编号：
TPH11006NLLQCT-ND
别名：TPH11006NLLQCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7716ADN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7716ADN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7716ADN-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 27.5A（Tc） 5W（Ta），35.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7456CDP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7456CDP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7456CDP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD4P40TM
仓库库存编号：
FQD4P40TMCT-ND
别名：FQD4P40TM-ND
FQD4P40TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC100N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC100N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC100N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC100N03MSGINCT
BSC100N03MSGINCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC024NE2LS
仓库库存编号：
BSC024NE2LSCT-ND
别名：BSC024NE2LSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR484DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR484DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR484DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6690AS
仓库库存编号：
FDS6690ASCT-ND
别名：FDS6690ASCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 43W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU220NPBF
仓库库存编号：
IRFU220NPBF-ND
别名：*IRFU220NPBF
SP001567710
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF200B211
仓库库存编号：
IRF200B211-ND
别名：SP001561622
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），75A（Tc） 2.2W（Ta），28W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF030NE2LQ
仓库库存编号：
BSF030NE2LQCT-ND
别名：BSF030NE2LQCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB065N03L G
仓库库存编号：
IPB065N03LGINCT-ND
别名：IPB065N03LGINCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.6W（Ta）, 50W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C460NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C460NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C460NLT1GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R600C6
仓库库存编号：
IPD65R600C6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R600C6CT
IPD65R600C6CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 4.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 620V 4.5A（Tc） 70W（Tc） DPAK
型号：
STDLED625H
仓库库存编号：
497-13943-1-ND
别名：497-13943-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK12A80W,S4X
仓库库存编号：
TK12A80WS4X-ND
别名：TK12A80W,S4X(S
TK12A80WS4X
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Ta） 165W（Tc） TO-220
型号：
TK12E80W,S1X
仓库库存编号：
TK12E80WS1X-ND
别名：TK12E80W,S1X(S
TK12E80WS1X
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 1W（Tc） TSMT3
型号：
RQ5E070BNTCL
仓库库存编号：
RQ5E070BNTCLCT-ND
别名：RQ5E070BNTCLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），27W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC7692S_F127
仓库库存编号：
FDMC7692S_F127CT-ND
别名：FDMC7692S_F127CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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