产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET，MOSFET - 单
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(27)
Diodes Incorporated(2)
Fairchild/ON Semiconductor(24)
Global Power Technologies Group(2)
Infineon Technologies(23)
IXYS(2)
Nexperia USA Inc.(9)
NXP USA Inc.(2)
ON Semiconductor(11)
Rohm Semiconductor(3)
Sanken(1)
STMicroelectronics(9)
Taiwan Semiconductor Corporation(2)
Texas Instruments(1)
Toshiba Semiconductor and Storage(10)
Vishay Siliconix(36)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4435
仓库库存编号：
785-1030-1-ND
别名：785-1030-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC5614P
仓库库存编号：
FDC5614PCT-ND
别名：FDC5614PCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta） 3.8W（Ta），42W（Tc） TO-252
型号：
FDD5614P
仓库库存编号：
FDD5614PCT-ND
别名：FDD5614PCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
型号：
SI9435BDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI9435BDY-T1-E3CT-ND
别名：SI9435BDY-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7812DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7812DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7812DN-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7812DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7812DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7812DN-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7400A
仓库库存编号：
785-1301-1-ND
别名：785-1301-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23
型号：
DMP3130LQ-7
仓库库存编号：
DMP3130LQ-7DICT-ND
别名：DMP3130LQ-7DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4468
仓库库存编号：
785-1038-1-ND
别名：785-1038-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4.9A SSOT-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.9A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC610PZ
仓库库存编号：
FDC610PZCT-ND
别名：FDC610PZCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC093N04LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC093N04LSGATMA1CT-ND
别名：BSC093N04LS GCT
BSC093N04LS GCT-ND
BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ097N04LS G
仓库库存编号：
BSZ097N04LSGINCT-ND
别名：BSZ097N04LSGINCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 62W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQ7414AEN-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ7414AEN-T1_GE3CT-ND
别名：SQ7414AEN-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 178W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD7N65
仓库库存编号：
785-1484-1-ND
别名：785-1484-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A A.D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 73W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB5N50CTM
仓库库存编号：
FQB5N50CTMCT-ND
别名：FQB5N50CTMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF830APBF
仓库库存编号：
IRF830APBF-ND
别名：*IRF830APBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
详细描述：表面贴装 N 沟道 36.5A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
型号：
SISS40DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISS40DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISS40DN-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD020PBF
仓库库存编号：
IRFD020PBF-ND
别名：*IRFD020PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 2.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI820GPBF
仓库库存编号：
IRFI820GPBF-ND
别名：*IRFI820GPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP60R180C7XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R180C7XKSA1-ND
别名：SP001277624
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），48A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC090N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC090N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC090N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC090N03MSGINCT
BSC090N03MSGINCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta） 700mW（Ta），22W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN4R203NC,L1Q
仓库库存编号：
TPN4R203NCL1QCT-ND
别名：TPN4R203NCL1QCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 370mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD420PBF
仓库库存编号：
IRFD420PBF-ND
别名：*IRFD420PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R180C7XKSA1
仓库库存编号：
IPW60R180C7XKSA1-ND
别名：SP001296232
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 48A（Tc） 69W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH7R204PL,LQ
仓库库存编号：
TPH7R204PLLQCT-ND
别名：TPH7R204PLLQCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
