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制造商型号: VN5T006ASPTR-E
制造商: STMicroelectronics
描述: IC DVR HIGH-SIDE 1CH POWERSO-10
技术参考: ST(意法) VN5T006ASPTR-E PDF
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VN5T006ASPTR-E STMicroelectronics IC DVR HIGH-SIDE 1CH POWERSO-10 查看库存、价格及货期
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STMicroelectronics - VN5T006ASPTR-E - IC DVR HIGH-SIDE 1CH POWERSO-10
STMicroelectronics
IC DVR HIGH-SIDE 1CH POWERSO-10

型号:VN5T006ASPTR-E
仓库库存编号:497-14312-1-ND
别名:497-14312-1

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VN5T006ASPTR-E
STMICROELECTRONICS VN5T006ASPTR-E
2762729

STMICROELECTRONICS

芯片, 驱动器, 高压侧 AEC-Q100, 115A, SOIC

(EN)
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意法半导体的STGAP2S单路电气设备隔离栅极驱动器出示26V的较大栅极驱动器輸出工作电压,准予客户挑选单独的通断/关闭輸出或內部有源米勒钳位作用,可用以各种各样电源开关拓扑操纵碳化硅(SiC)或硅MOSFET和IGBT输出功率三极管。
STGAP2SCM配置1个有源米勒钳位专用型脚位,为设计构思工作人员避免半桥配备三极管出现意外通断出示1个简变的解决方法。在MOSFET关闭情况时,该脚位可将所连MOSFET的栅工作电压限定在防护接地装置工作电压,直至下个真实的导通讯号出現已经。
STGAP2SM具备单独的通断/关闭輸出,可相互配合2个外界栅极电阻器来提升三极管电源开关特性。
STGAP2S栅极驱动器全部标准配置4A轨到轨輸出,即便驱动器大功率逆变器,也可以确保电源开关实际操作迅速、高效率。键入到輸出散播延迟时间在80ns之内,在高电源开关頻率下保证PWM操纵精准,考虑SiC元器件的驱动器规定。优异的抗dV / dt共模瞬变干扰能力,使其可以避免能耗的杂散电源开关实际操作。
这种元器件内嵌1700V电气设备防护作用,能够减少消費级或工业生产电机驱动器、600V或1200V软启动器、DC / DC转化器、充电头、直流焊机、感应炉、ups电源(UPS)和功率因数校正(PFC)控制板的原材料成本费。
这种商品集成化全方位的维护作用,在其中,欠压锁住(UVLO)可在开关电源工作电压过低时维护电源总开关。除此之外,超温维护和硬件配置自锁互锁能够避免半桥电源电路中的高边/低边交差通断;关机方式可在节约开关电源的一起将輸出维持在安全性情况。
EVALSTGAP2SCM评定板出示了1个迅速、简变的开发方法,便捷设计构思工作人员迅速刚开始设计构思。

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